IRFPF50 Siliconix
Виробник: Siliconix
Trans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC IRFPF50 TIRFPF50
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 201.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFPF50 Siliconix
Description: MOSFET N-CH 900V 6.7A TO247-3, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-247AC, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 4A, 10V.
Інші пропозиції IRFPF50
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IRFPF50 |
Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
 |
IRFPF50 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 900V 6.7A TO247-3 Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247AC Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 4A, 10V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IRFPF50 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFPF50 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 900V 6.7A TO247-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 4A, 10V
Description: MOSFET N-CH 900V 6.7A TO247-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 4A, 10V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFPF50 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.