IRFPF50PBF Vishay
Код товару: 41960
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: Vishay
Корпус: TO-247
Uds,V: 900 V
Idd,A: 6,7 A
Rds(on), Ohm: 1,6 Ohm
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFPF50PBF за ціною від 156.33 грн до 527.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFPF50PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 14576 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFPF50PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 14578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFPF50PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 900V 6.7A TO247-3Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247AC Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
на замовлення 486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFPF50PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.2A; 190W; TO247AC Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Case: TO247AC Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 200nC On-state resistance: 1.6Ω Drain current: 4.2A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 900V Power dissipation: 190W |
на замовлення 92 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFPF50PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFPF50PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFPF50PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFPF50PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFPF50PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6.7 A, 1.6 ohm, TO-247AC, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 2338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFPF50PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFPF50PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP |
на замовлення 887 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IRFPF50PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 14576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 90+ | 156.87 грн |
| 500+ | 156.33 грн |
| IRFPF50PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 14578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 158.90 грн |
| 25+ | 157.27 грн |
| 500+ | 156.73 грн |
| IRFPF50PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 900V 6.7A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 900V 6.7A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 371.06 грн |
| 25+ | 280.15 грн |
| 100+ | 255.74 грн |
| IRFPF50PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.2A; 190W; TO247AC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247AC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 200nC
On-state resistance: 1.6Ω
Drain current: 4.2A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 900V
Power dissipation: 190W
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.2A; 190W; TO247AC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247AC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 200nC
On-state resistance: 1.6Ω
Drain current: 4.2A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 900V
Power dissipation: 190W
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 387.44 грн |
| 5+ | 318.29 грн |
| 10+ | 297.97 грн |
| 25+ | 271.73 грн |
| 75+ | 240.41 грн |
| IRFPF50PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 33+ | 428.72 грн |
| 100+ | 381.31 грн |
| IRFPF50PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 433.05 грн |
| 25+ | 428.72 грн |
| 100+ | 381.31 грн |
| IRFPF50PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 32+ | 442.16 грн |
| 33+ | 437.81 грн |
| 100+ | 389.59 грн |
| IRFPF50PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFPF50PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6.7 A, 1.6 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - IRFPF50PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6.7 A, 1.6 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 489.82 грн |
| 10+ | 342.13 грн |
| 100+ | 302.75 грн |
| 500+ | 243.03 грн |
| 1000+ | 220.12 грн |
| IRFPF50PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 512.39 грн |
| 31+ | 463.87 грн |
| 75+ | 398.52 грн |
| 100+ | 373.40 грн |
| 125+ | 308.56 грн |
| 200+ | 280.01 грн |
| IRFPF50PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 527.56 грн |
| 10+ | 340.48 грн |
| 100+ | 248.25 грн |
| 500+ | 215.20 грн |
| 1000+ | 204.65 грн |
| 2500+ | 203.94 грн |







