Продукція > VISHAY > IRFPG30PBF

IRFPG30PBF Vishay


91252.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 49 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+70.46 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFPG30PBF Vishay

Description: VISHAY - IRFPG30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 3.1 A, 5 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFPG30PBF за ціною від 101.49 грн до 351.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFPG30PBF IRFPG30PBF VISHAY IRFPG30.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 80nC
на замовлення 447 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+143.45 грн
25+104.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG30PBF IRFPG30PBF Vishay Siliconix 91252.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.62 грн
25+143.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG30PBF IRFPG30PBF Vishay 91252.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+230.30 грн
100+203.24 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG30PBF IRFPG30PBF Vishay 91252.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+253.00 грн
57+250.47 грн
100+211.78 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG30PBF IRFPG30PBF Vishay 91252.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+253.65 грн
25+251.10 грн
100+212.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG30PBF IRFPG30PBF VISHAY VISH-S-A0014407252-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFPG30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 3.1 A, 5 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+307.54 грн
10+177.62 грн
100+154.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG30PBF IRFPG30PBF Vishay Semiconductors 91252.pdf MOSFETs TO247 1KV 3.1A N-CH MOSFET
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+351.12 грн
10+187.24 грн
100+136.03 грн
500+114.89 грн
1000+109.95 грн
2500+102.20 грн
5000+101.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG30PBF IRFPG30PBF Vishay 91252.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG30PBF IRFPG30.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 80nC
на замовлення 447 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+143.45 грн
25+104.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG30PBF 91252.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+154.62 грн
25+143.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG30PBF 91252.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
62+230.30 грн
100+203.24 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG30PBF 91252.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
56+253.00 грн
57+250.47 грн
100+211.78 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG30PBF 91252.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+253.65 грн
25+251.10 грн
100+212.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG30PBF VISH-S-A0014407252-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFPG30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 3.1 A, 5 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+307.54 грн
10+177.62 грн
100+154.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG30PBF 91252.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO247 1KV 3.1A N-CH MOSFET
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+351.12 грн
10+187.24 грн
100+136.03 грн
500+114.89 грн
1000+109.95 грн
2500+102.20 грн
5000+101.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG30PBF 91252.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.