IRFPG40 Siliconix
Виробник: SiliconixN-MOSFET 43A 1000V(1kV) 150W 3.5Ω IRFPG40 IRFPG40 TIRFPG40
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 106.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFPG40 Siliconix
Description: MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 2.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFPG40
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFPG40 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 1KV 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товару немає в наявності |
|
 |
IRFPG40 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
 |
IRFPG40 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFPG40PBF |
товару немає в наявності |
|
|
|
IRFPG40 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET |
товару немає в наявності |