
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 100.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFPG40PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFPG40PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 4.3 A, 3.5 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції IRFPG40PBF за ціною від 122.32 грн до 422.12 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFPG40PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFPG40PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFPG40PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 58 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFPG40PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2.7A; 150W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 2.7A Power dissipation: 150W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 460 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFPG40PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 58 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFPG40PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V |
на замовлення 453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFPG40PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2.7A; 150W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 2.7A Power dissipation: 150W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 460 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFPG40PBF | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 401 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFPG40PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 1902 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFPG40PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |