Технічний опис IRFPS38N60LPBF VISHAY
Description: MOSFET N-CH 600V 38A SUPER247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-274AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 23A, 10V, Power Dissipation (Max): 540W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7990 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFPS38N60LPBF
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFPS38N60LPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IRFPS38N60LPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IRFPS38N60LPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-274AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 540W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7990 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IRFPS38N60LPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |