IRFR014 Siliconix
Виробник: Siliconix
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 200mOhm; 7,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR014; IRFR014TR; IRFR014TRL; IRFR014 TIRFR014
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 23.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR014 Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: DPAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IRFR014
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR014 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
IRFR014 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFR |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFR014 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRFR014 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFR
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFR
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.