Технічний опис IRFR014PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFR014PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 7.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 25W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm.
Інші пропозиції IRFR014PBF за ціною від 31.22 грн до 170.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFR014PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFR014PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 701 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFR014PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFR014PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO252 N CHAN 60V |
на замовлення 4878 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFR014PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAKPackaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
на замовлення 1203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFR014PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFR014PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFR014PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 25W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm |
на замовлення 646 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFR014PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFR014PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFR014PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: VISHAY - IRFR014PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 71.70 грн |
| IRFR014PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 160+ | 88.54 грн |
| 188+ | 75.36 грн |
| 500+ | 63.93 грн |
| 1000+ | 53.05 грн |
| IRFR014PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO252 N CHAN 60V
MOSFETs TO252 N CHAN 60V
на замовлення 4878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 109.37 грн |
| 10+ | 53.90 грн |
| 25+ | 31.29 грн |
| 3000+ | 31.22 грн |
| IRFR014PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 1203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 142.73 грн |
| 75+ | 62.21 грн |
| 150+ | 55.98 грн |
| 525+ | 44.19 грн |
| 1050+ | 40.58 грн |
| IRFR014PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 153.58 грн |
| 10+ | 88.52 грн |
| 100+ | 75.34 грн |
| 500+ | 61.63 грн |
| 1000+ | 49.11 грн |
| IRFR014PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFR014PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 25W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
Description: VISHAY - IRFR014PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 25W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 170.22 грн |
| 12+ | 71.13 грн |
| 25+ | 66.03 грн |
| 50+ | 56.50 грн |
| IRFR014PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






