Продукція > VISHAY > IRFR014TRLPBF
IRFR014TRLPBF

IRFR014TRLPBF Vishay

sihfr014.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+40.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR014TRLPBF Vishay

Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFR014TRLPBF за ціною від 37.67 грн до 162.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR014TRLPBF IRFR014TRLPBF Виробник : Vishay sihfr014.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+43.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014TRLPBF IRFR014TRLPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfr014.pdf MOSFETs TO252 N CHAN 60V
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+114.15 грн
10+78.77 грн
100+53.34 грн
500+45.24 грн
1000+37.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014TRLPBF IRFR014TRLPBF Виробник : Vishay Siliconix sihfr014.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+162.35 грн
10+99.93 грн
100+67.73 грн
500+50.62 грн
1000+46.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014TRLPBF IRFR014TRLPBF Виробник : Vishay sihfr014.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014TRLPBF Виробник : VISHAY sihfr014.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.7A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 31A
Case: DPAK; TO252
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014TRLPBF IRFR014TRLPBF Виробник : Vishay sihfr014.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014TRLPBF IRFR014TRLPBF Виробник : Vishay Siliconix sihfr014.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014TRLPBF Виробник : VISHAY sihfr014.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.7A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 31A
Case: DPAK; TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.