Продукція > VISHAY SILICONIX > IRFR014TRPBF
IRFR014TRPBF

IRFR014TRPBF Vishay Siliconix

sihfr014.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+40.67 грн
4000+38.43 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR014TRPBF Vishay Siliconix

Description: VISHAY - IRFR014TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFR014TRPBF за ціною від 27.98 грн до 106.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFR014TRPBF IRFR014TRPBF Vishay Siliconix sihfr014.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
на замовлення 4599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.71 грн
10+57.88 грн
100+47.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014TRPBF IRFR014TRPBF Vishay Semiconductors sihfr014.pdf MOSFETs N-Chan 60V 7.7 Amp
на замовлення 2971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.34 грн
10+65.09 грн
25+56.53 грн
100+43.56 грн
2000+38.27 грн
4000+37.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014TRPBF IRFR014TRPBF VISHAY VISH-S-A0013857022-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR014TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.90 грн
12+69.24 грн
100+45.88 грн
500+34.97 грн
1000+27.98 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014TRPBF sihfr014.pdf
IRFR014TRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
на замовлення 4599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+77.71 грн
10+57.88 грн
100+47.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014TRPBF sihfr014.pdf
IRFR014TRPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 60V 7.7 Amp
на замовлення 2971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+86.34 грн
10+65.09 грн
25+56.53 грн
100+43.56 грн
2000+38.27 грн
4000+37.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014TRPBF VISH-S-A0013857022-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR014TRPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFR014TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+106.90 грн
12+69.24 грн
100+45.88 грн
500+34.97 грн
1000+27.98 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.