на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 17.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR014TRPBF Vishay
Description: VISHAY - IRFR014TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції IRFR014TRPBF за ціною від 34.87 грн до 100.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR014TRPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFR014TRPBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFR014TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 2233 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFR014TRPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
на замовлення 4599 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFR014TRPBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFR014TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 2133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFR014TRPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-Chan 60V 7.7 Amp |
на замовлення 981 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFR014TRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IRFR014TRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IRFR014TRPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252 Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.9A On-state resistance: 0.2Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 25W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 11nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 31A Case: DPAK; TO252 кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IRFR014TRPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252 Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.9A On-state resistance: 0.2Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 25W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 11nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 31A Case: DPAK; TO252 |
товару немає в наявності |