IRFR024 EVVO
Виробник: EVVODescription: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-2L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1378 pF @ 15 V
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 67.28 грн |
| 10+ | 40.51 грн |
| 100+ | 26.32 грн |
| 500+ | 18.98 грн |
| 1000+ | 17.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR024 EVVO
Description: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.
Інші пропозиції IRFR024
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IRFR024 | Виробник : IR |
|
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| IRFR024 | Виробник : IR |
08+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| IRFR024 | Виробник : IR |
09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| IRFR024 | Виробник : IR |
TO-252 |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
|
|
IRFR024 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товару немає в наявності |
|
|
IRFR024 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 14A DPAKPackaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
товару немає в наявності |
|
|
IRFR024 | Виробник : EVVO |
Description: MOSFET N-CH 60V 14A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 34.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-2L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1378 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|
|
IRFR024 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFR |
товару немає в наявності |

