IRFR024NPBF International Rectifier/Infineon
Виробник: International Rectifier/InfineonN-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 17 А; Ptot, Вт = 45; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 370 пФ @ 25 В; Qg, нКл = 20 @ 10 В; Rds = 75 мОм @ 10 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; DPAK
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 624 грн |
| 10+ | 62.4 грн |
| 100+ | 13.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR024NPBF International Rectifier/Infineon
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Discontinued at Digi-Key, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.
Можливі заміни IRFR024NPBF International Rectifier/Infineon
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR024NTRPBF Код товару: 42276 |
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 55 V Idd,A: 16 A Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm Монтаж: SMD |
у наявності: 279 шт
|
|
Інші пропозиції IRFR024NPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFR024NPBF Код товару: 34111 |
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 55 V Idd,A: 16 A Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 370/20 Монтаж: SMD |
товар відсутній
|
|
 |
IRFR024NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
товар відсутній |
|
 |
IRFR024NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
товар відсутній |
|
 |
IRFR024NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 75mOhms 13.3nC |
товар відсутній |