IRFR024NTRPBF
Код товару: 42276
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 16 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,075 Ом
Монтаж: SMD
у наявності: 90 шт
- 27 шт - склад
- 27 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 21 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 15 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 20 шт
- 20 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 24.00 грн |
| 10+ | 21.60 грн |
| 100+ | 18.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR024NTRPBF IR
- MOSFET
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N Channel
- Drain Source Voltage, Vds:55V
- Continuous Drain Current, Id:17A
- On Resistance, Rds(on):75mohm
- Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V
- Package/Case:DPAK
Інші пропозиції IRFR024NTRPBF за ціною від 15.65 грн до 72.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFR024NTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFR024NTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFR024NTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 152000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFR024NTRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V |
на замовлення 88000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFR024NTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 152000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFR024NTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 16A Power dissipation: 38W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Kind of package: reel |
на замовлення 4167 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFR024NTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 28432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFR024NTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 28432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFR024NTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFR024NTRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V |
на замовлення 90467 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFR024NTRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 16A 75mOhm 13.3nC |
на замовлення 17673 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRFR024NTRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 45W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm |
на замовлення 71588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRFR024NTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 28 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRFR024NTRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 45W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm |
на замовлення 71588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFR024NTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 16.93 грн |
| 4000+ | 16.77 грн |
| 8000+ | 16.60 грн |
| 12000+ | 15.84 грн |
| IRFR024NTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 16.93 грн |
| 4000+ | 16.77 грн |
| 8000+ | 16.60 грн |
| 12000+ | 15.84 грн |
| IRFR024NTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 152000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 17.47 грн |
| 4000+ | 17.29 грн |
| 8000+ | 17.11 грн |
| 12000+ | 16.34 грн |
| IRFR024NTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
на замовлення 88000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 18.57 грн |
| 6000+ | 15.65 грн |
| IRFR024NTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 152000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 25.63 грн |
| IRFR024NTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 4167 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 26.44 грн |
| 19+ | 23.19 грн |
| 50+ | 22.26 грн |
| 100+ | 21.33 грн |
| 250+ | 20.32 грн |
| 500+ | 19.39 грн |
| 1000+ | 17.95 грн |
| 2000+ | 17.27 грн |
| IRFR024NTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 28432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 461+ | 30.61 грн |
| 2000+ | 19.76 грн |
| IRFR024NTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 28432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 30.86 грн |
| 2000+ | 19.92 грн |
| IRFR024NTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 40.75 грн |
| 22+ | 35.04 грн |
| 25+ | 30.74 грн |
| 100+ | 19.96 грн |
| IRFR024NTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
на замовлення 90467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 72.00 грн |
| 10+ | 43.27 грн |
| 50+ | 31.86 грн |
| 100+ | 26.46 грн |
| 500+ | 20.39 грн |
| IRFR024NTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 16A 75mOhm 13.3nC
MOSFETs MOSFT 55V 16A 75mOhm 13.3nC
на замовлення 17673 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFR024NTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
Description: INFINEON - IRFR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 71588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFR024NTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFR024NTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
Description: INFINEON - IRFR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 71588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| IRFR9024NTRPBF Код товару: 23070
6
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 11 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,175 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 350/19
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 11 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,175 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 350/19
Монтаж: SMD
у наявності: 764 шт
- 658 шт - склад
- 49 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 39 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 18 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 15 шт
- 15 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 16.50 грн |
| 10+ | 14.90 грн |
| 100+ | 13.40 грн |
| IRLML5203TRPBF Код товару: 25596
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Id, А: 3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,098 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 510/9,5
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
УКТЗЕД: 8541 29 00 90
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Id, А: 3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,098 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 510/9,5
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
УКТЗЕД: 8541 29 00 90
у наявності: 793 шт
- 676 шт - склад
- 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 46 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 43 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 26 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 3200 шт
- 3000 шт - очікується 05.10.2026
- 200 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 4.50 грн |
| 10+ | 3.80 грн |
| 100+ | 3.20 грн |
| 1000+ | 2.90 грн |
| IRLML2030TRPBF Код товару: 38414
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 2,7 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,1 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 110/1.0
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 2,7 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,1 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 110/1.0
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 648 шт
- 552 шт - склад
- 31 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 50 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 4 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 60 шт
- 60 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 5.00 грн |
| 10+ | 4.40 грн |
| 100+ | 3.80 грн |
| Наконечник плоский "мама" 4,8мм (2670.05.00.9) Код товару: 169618
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: IMP
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Клеми
Опис: наконечник: плоский; 4,8мм; "мама
Призначення: Неізольовані конектори
Розріз провода та ін.розміри: 0,5...2 мм²
Розмір: 4,8 мм
Монтаж: На провід
Тип наконечника: Плоский
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Клеми
Опис: наконечник: плоский; 4,8мм; "мама
Призначення: Неізольовані конектори
Розріз провода та ін.розміри: 0,5...2 мм²
Розмір: 4,8 мм
Монтаж: На провід
Тип наконечника: Плоский
у наявності: 173 шт
- 11 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 55 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 107 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 3.00 грн |
| 10+ | 2.40 грн |
| 100+ | 1.90 грн |
| 47uF 63V EHR 8x12mm (EHR470M63B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 3034
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 47 мкФ
Номін. напруга: 63 В
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105°C
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 8x12 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 47 мкФ
Номін. напруга: 63 В
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105°C
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 8x12 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 3756 шт
- 3411 шт - склад
- 170 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 100 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 73 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 102 шт
- 102 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 2.50 грн |
| 10+ | 2.10 грн |
| 100+ | 1.80 грн |
| 1000+ | 1.50 грн |












