IRFR024NTRPBF

IRFR024NTRPBF


irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c
Код товару: 42276
Виробник: IR
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 16 A
Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Монтаж: SMD
у наявності 190 шт:

150 шт - склад
13 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+24.00 грн
10+21.60 грн
100+18.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR024NTRPBF IR

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Drain Source Voltage, Vds:55V
  • Continuous Drain Current, Id:17A
  • On Resistance, Rds(on):75mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V
  • Package/Case:DPAK

Інші пропозиції IRFR024NTRPBF за ціною від 13.12 грн до 53.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr024n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+13.12 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
на замовлення 122000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+20.22 грн
4000+18.77 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr024npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 154000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+22.58 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr024npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 154000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+24.13 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BF5C458C24F1A303005056AB0C4F&compId=irfr024npbf.pdf?ci_sign=9b1c86bd4b0622dc63c7904ce4b9483a8f5c26cd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+24.73 грн
19+21.69 грн
46+20.43 грн
100+19.95 грн
126+19.32 грн
250+19.00 грн
500+18.61 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BF5C458C24F1A303005056AB0C4F&compId=irfr024npbf.pdf?ci_sign=9b1c86bd4b0622dc63c7904ce4b9483a8f5c26cd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8560 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+27.03 грн
46+24.51 грн
100+23.94 грн
126+23.18 грн
250+22.80 грн
500+22.33 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr024npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
426+28.95 грн
482+25.61 грн
486+25.35 грн
501+23.75 грн
1000+17.32 грн
Мінімальне замовлення: 426
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr024npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 32493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
416+29.65 грн
492+25.05 грн
542+22.75 грн
Мінімальне замовлення: 416
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837883-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 92227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.21 грн
500+25.73 грн
1000+20.32 грн
5000+16.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr024npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+35.21 грн
23+31.03 грн
25+31.02 грн
100+26.46 грн
250+24.25 грн
500+22.62 грн
1000+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
на замовлення 122170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.15 грн
10+36.10 грн
100+29.16 грн
500+25.86 грн
1000+22.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837883-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 92227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+51.84 грн
23+38.62 грн
100+31.21 грн
500+25.73 грн
1000+20.32 грн
5000+16.66 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRFR024N-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 55V 16A 75mOhm 13.3nC
на замовлення 51777 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.38 грн
10+39.25 грн
100+27.51 грн
500+25.77 грн
1000+22.12 грн
2000+18.77 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF Виробник : International Rectifier/Infineon irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 17 А; Ptot, Вт = 45; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 370 @ 25; Qg, нКл = 20 @ 10 В; Rds = 75 мОм @ 10 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D-PAK
на замовлення 2576 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr024npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr024npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRFR9024NTRPBF
Код товару: 23070
Додати до обраних Обраний товар

description irfr9024npbf.pdf
IRFR9024NTRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 11 А
Rds(on),Om: 0,175 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
Монтаж: SMD
у наявності: 1931 шт
1611 шт - склад
146 шт - РАДІОМАГ-Київ
75 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
97 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
2+16.50 грн
10+14.90 грн
100+13.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SG3525AP
Код товару: 29169
Додати до обраних Обраний товар

CD00000958.pdf
SG3525AP
Виробник: ST
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SO-16
Призначення і характеристики: PWM Controllers 2виходу
Напруга вхідна, V: 40 V
Iвых., A: 0,5 A
Fosc, kHz: 400 kHz
Темп.діапазон: -25…+85°C
у наявності: 113 шт
78 шт - склад
19 шт - РАДІОМАГ-Київ
16 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+38.00 грн
10+35.20 грн
100+31.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905Z
Код товару: 4031
Додати до обраних Обраний товар

irlr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ccc09267c
IRLR2905Z
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 13,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1570/23
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 92 шт
82 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
1+46.50 грн
10+37.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1 kOhm 5% 0,5W вив. (CR050SJTB-1KR-Hitano)
Код товару: 15046
Додати до обраних Обраний товар

CR-S_080911.pdf
1 kOhm 5% 0,5W вив. (CR050SJTB-1KR-Hitano)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,4 ... 0,6W
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±5%
Потужність: 0,5 W
U, роб.: 350 V
Габарити: 6x2,3 mm; Dвів = 0,55 mm
Тип: вугільні виводні мініатюрні
у наявності: 6340 шт
5580 шт - склад
270 шт - РАДІОМАГ-Київ
120 шт - РАДІОМАГ-Львів
119 шт - РАДІОМАГ-Харків
251 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
30+0.90 грн
100+0.70 грн
1000+0.55 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
PC817A
Код товару: 18418
Додати до обраних Обраний товар

pc817a.pdf
PC817A
Виробник: Sharp
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-4
Тип: Транзистор
Uізол,kV: 5 kV
Iвх/Iвых,mA: 50/50 mA
Uвых,V: 35 V
Ton/Toff,µs: 18/18 µs
Роб.темп.,°С: -30…+100°C
у наявності: 1562 шт
1460 шт - склад
81 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
13 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 8000 шт
8000 шт - очікується 26.10.2025
Кількість Ціна
5+4.50 грн
10+4.10 грн
100+3.70 грн
1000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.