Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFR024NTRPBF
IRFR024NTRPBF

IRFR024NTRPBF

irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c
Код товару: 42276
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 16 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,075 Ом
Монтаж: SMD
у наявності: 115 шт
  • 37 шт - склад
  • 27 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 21 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 18 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+24.00 грн
10+21.60 грн
100+18.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR024NTRPBF IR

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Drain Source Voltage, Vds:55V
  • Continuous Drain Current, Id:17A
  • On Resistance, Rds(on):75mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V
  • Package/Case:DPAK

Інші пропозиції IRFR024NTRPBF за ціною від 12.92 грн до 126.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c description Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+18.50 грн
4000+16.34 грн
6000+15.59 грн
10000+13.84 грн
14000+13.37 грн
20000+12.92 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr024npbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4919 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.72 грн
19+22.57 грн
50+21.66 грн
100+20.75 грн
250+19.77 грн
500+18.86 грн
1000+17.46 грн
2000+16.80 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies irfr024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+33.73 грн
4000+31.10 грн
6000+29.75 грн
10000+27.23 грн
14000+24.42 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies irfr024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+33.73 грн
4000+31.10 грн
6000+29.75 грн
10000+27.23 грн
14000+24.42 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies irfr024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+34.40 грн
4000+31.71 грн
6000+30.35 грн
10000+27.77 грн
14000+24.90 грн
20000+23.14 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies irfr024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+34.59 грн
4000+31.89 грн
6000+30.51 грн
10000+27.93 грн
14000+25.04 грн
20000+23.27 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies irfr024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 28432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+34.69 грн
2000+27.70 грн
4000+27.42 грн
8000+26.17 грн
12000+23.65 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies irfr024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 28432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
405+34.69 грн
2000+27.70 грн
4000+27.42 грн
8000+26.17 грн
12000+23.65 грн
Мінімальне замовлення: 405 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c description Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
на замовлення 94319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.58 грн
10+43.06 грн
100+28.08 грн
500+20.30 грн
1000+18.36 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies irfr024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
178+79.08 грн
Мінімальне замовлення: 178 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies irfr024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+126.19 грн
10+79.08 грн
100+52.16 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFR024N_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 55V 16A 75mOhm 13.3nC
на замовлення 34434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837883-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 72157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837883-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 72157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF description irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c
IRFR024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+18.50 грн
4000+16.34 грн
6000+15.59 грн
10000+13.84 грн
14000+13.37 грн
20000+12.92 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF description irfr024npbf.pdf
IRFR024NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4919 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+25.72 грн
19+22.57 грн
50+21.66 грн
100+20.75 грн
250+19.77 грн
500+18.86 грн
1000+17.46 грн
2000+16.80 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF description irfr024npbf.pdf
IRFR024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+33.73 грн
4000+31.10 грн
6000+29.75 грн
10000+27.23 грн
14000+24.42 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF description irfr024npbf.pdf
IRFR024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+33.73 грн
4000+31.10 грн
6000+29.75 грн
10000+27.23 грн
14000+24.42 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF description irfr024npbf.pdf
IRFR024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+34.40 грн
4000+31.71 грн
6000+30.35 грн
10000+27.77 грн
14000+24.90 грн
20000+23.14 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF description irfr024npbf.pdf
IRFR024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+34.59 грн
4000+31.89 грн
6000+30.51 грн
10000+27.93 грн
14000+25.04 грн
20000+23.27 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF description irfr024npbf.pdf
IRFR024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 28432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+34.69 грн
2000+27.70 грн
4000+27.42 грн
8000+26.17 грн
12000+23.65 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF description irfr024npbf.pdf
IRFR024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 28432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
405+34.69 грн
2000+27.70 грн
4000+27.42 грн
8000+26.17 грн
12000+23.65 грн
Мінімальне замовлення: 405 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF description irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c
IRFR024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
на замовлення 94319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+71.58 грн
10+43.06 грн
100+28.08 грн
500+20.30 грн
1000+18.36 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF description irfr024npbf.pdf
IRFR024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
178+79.08 грн
Мінімальне замовлення: 178 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF description irfr024npbf.pdf
IRFR024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+126.19 грн
10+79.08 грн
100+52.16 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF description Infineon_IRFR024N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFR024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 16A 75mOhm 13.3nC
на замовлення 34434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF description INFN-S-A0012837883-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR024NTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 72157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF description INFN-S-A0012837883-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR024NTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 72157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRFR9024NTRPBF
Код товару: 23070
5 Додати до обраних Обраний товар
description irfr9024npbf.pdf
IRFR9024NTRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 11 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,175 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 350/19
Монтаж: SMD
у наявності: 1033 шт
  • 914 шт - склад
  • 57 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 39 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 22 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
2+16.50 грн
10+14.90 грн
100+13.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
100nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805B104K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Код товару: 2245
Додати до обраних Обраний товар
X7R_X5R.pdf
100nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805B104K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 нФ
Номін. напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
товару немає в наявності
очікується: 52000 шт
  • 52000 шт - очікується 10.08.2026
КількістьЦіна без ПДВ
20+1.00 грн
100+0.75 грн
1000+0.58 грн
10000+0.45 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5203TRPBF
Код товару: 25596
2 Додати до обраних Обраний товар
irlml5203pbf-datasheet.pdf
IRLML5203TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Id, А: 3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,098 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 510/9,5
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
УКТЗЕД: 8541 29 00 90
у наявності: 1576 шт
  • 1341 шт - склад
  • 97 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 66 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 43 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 29 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
5+4.50 грн
10+3.80 грн
100+3.20 грн
1000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2030TRPBF
Код товару: 38414
1 Додати до обраних Обраний товар
irlml2030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664aef525ec
IRLML2030TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 2,7 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,1 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 110/1.0
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 659 шт
  • 562 шт - склад
  • 32 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 50 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
4+5.00 грн
10+4.40 грн
100+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
220uF 25V ECR 8x12mm (ECR221M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 2973
2 Додати до обраних Обраний товар
ECR_081225.pdf
220uF 25V ECR 8x12mm (ECR221M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 220 мкФ
Номін. напруга: 25 В
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 8x12 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 10153 шт
  • 10000 шт - очікується 10.08.2026
  • 153 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
1+20 грн
8+2.50 грн
11+1.90 грн
100+1.60 грн
1000+1.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.