IRFR024NTRPBF


irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c
Код товару: 42276
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 16 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,075 Ом
Монтаж: SMD
у наявності: 90 шт
  • 27 шт - склад
  • 27 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 21 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 20 шт
  • 20 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+24.00 грн
10+21.60 грн
100+18.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR024NTRPBF IR

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Drain Source Voltage, Vds:55V
  • Continuous Drain Current, Id:17A
  • On Resistance, Rds(on):75mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V
  • Package/Case:DPAK

Інші пропозиції IRFR024NTRPBF за ціною від 15.65 грн до 72.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies irfr024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+16.93 грн
4000+16.77 грн
8000+16.60 грн
12000+15.84 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies irfr024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+16.93 грн
4000+16.77 грн
8000+16.60 грн
12000+15.84 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies irfr024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 152000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+17.47 грн
4000+17.29 грн
8000+17.11 грн
12000+16.34 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c description Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
на замовлення 88000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+18.57 грн
6000+15.65 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies irfr024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 152000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+25.63 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr024npbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 4167 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+26.44 грн
19+23.19 грн
50+22.26 грн
100+21.33 грн
250+20.32 грн
500+19.39 грн
1000+17.95 грн
2000+17.27 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies irfr024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 28432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
461+30.61 грн
2000+19.76 грн
Мінімальне замовлення: 461 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies irfr024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 28432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+30.86 грн
2000+19.92 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies irfr024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+40.75 грн
22+35.04 грн
25+30.74 грн
100+19.96 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c description Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
на замовлення 90467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.00 грн
10+43.27 грн
50+31.86 грн
100+26.46 грн
500+20.39 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c description MOSFETs MOSFT 55V 16A 75mOhm 13.3nC
на замовлення 17673 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837883-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 71588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies irfr024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF INFINEON irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c description Description: INFINEON - IRFR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 71588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF description irfr024npbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+16.93 грн
4000+16.77 грн
8000+16.60 грн
12000+15.84 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF description irfr024npbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+16.93 грн
4000+16.77 грн
8000+16.60 грн
12000+15.84 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF description irfr024npbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 152000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+17.47 грн
4000+17.29 грн
8000+17.11 грн
12000+16.34 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF description irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
на замовлення 88000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+18.57 грн
6000+15.65 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF description irfr024npbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 152000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+25.63 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF description irfr024npbf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 4167 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+26.44 грн
19+23.19 грн
50+22.26 грн
100+21.33 грн
250+20.32 грн
500+19.39 грн
1000+17.95 грн
2000+17.27 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF description irfr024npbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 28432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
461+30.61 грн
2000+19.76 грн
Мінімальне замовлення: 461 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF description irfr024npbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 28432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+30.86 грн
2000+19.92 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF description irfr024npbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+40.75 грн
22+35.04 грн
25+30.74 грн
100+19.96 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF description irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
на замовлення 90467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+72.00 грн
10+43.27 грн
50+31.86 грн
100+26.46 грн
500+20.39 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF description irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 16A 75mOhm 13.3nC
на замовлення 17673 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF description INFN-S-A0012837883-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 71588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF description irfr024npbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF description irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 71588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRFR9024NTRPBF
Код товару: 23070
6 Додати до обраних Обраний товар
description irfr9024npbf.pdf
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 11 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,175 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 350/19
Монтаж: SMD
у наявності: 764 шт
  • 658 шт - склад
  • 49 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 39 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 18 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 15 шт
  • 15 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+16.50 грн
10+14.90 грн
100+13.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5203TRPBF
Код товару: 25596
2 Додати до обраних Обраний товар
irlml5203pbf-datasheet.pdf
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Id, А: 3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,098 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 510/9,5
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
УКТЗЕД: 8541 29 00 90
у наявності: 793 шт
  • 676 шт - склад
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 46 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 43 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 26 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 3200 шт
  • 3000 шт - очікується 05.10.2026
  • 200 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
5+4.50 грн
10+3.80 грн
100+3.20 грн
1000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2030TRPBF
Код товару: 38414
1 Додати до обраних Обраний товар
irlml2030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664aef525ec
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 2,7 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,1 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 110/1.0
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 648 шт
  • 552 шт - склад
  • 31 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 50 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 60 шт
  • 60 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+5.00 грн
10+4.40 грн
100+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Наконечник плоский "мама" 4,8мм (2670.05.00.9)
Код товару: 169618
3 Додати до обраних Обраний товар
Виробник: IMP
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Клеми
Опис: наконечник: плоский; 4,8мм; "мама
Призначення: Неізольовані конектори
Розріз провода та ін.розміри: 0,5...2 мм²
Розмір: 4,8 мм
Монтаж: На провід
Тип наконечника: Плоский
у наявності: 173 шт
  • 11 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 55 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 107 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
7+3.00 грн
10+2.40 грн
100+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
47uF 63V EHR 8x12mm (EHR470M63B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 3034
Додати до обраних Обраний товар
EHR_081225.pdf
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 47 мкФ
Номін. напруга: 63 В
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105°C
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 8x12 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 3756 шт
  • 3411 шт - склад
  • 170 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 100 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 73 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 102 шт
  • 102 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+2.50 грн
10+2.10 грн
100+1.80 грн
1000+1.50 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.