IRFR024NTRPBF
Код товару: 42276
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 16 A
Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Монтаж: SMD
у наявності 134 шт:
54 шт - склад
27 шт - РАДІОМАГ-Київ
21 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Харків
12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 24.00 грн |
| 10+ | 21.60 грн |
| 100+ | 18.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR024NTRPBF IR
- MOSFET
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N Channel
- Drain Source Voltage, Vds:55V
- Continuous Drain Current, Id:17A
- On Resistance, Rds(on):75mohm
- Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V
- Package/Case:DPAK
Інші пропозиції IRFR024NTRPBF за ціною від 17.10 грн до 90.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFR024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V |
на замовлення 99000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFR024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFR024NTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 16A Power dissipation: 38W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
на замовлення 5904 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFR024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFR024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 28432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFR024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFR024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFR024NTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 83306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFR024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFR024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFR024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 16A 75mOhm 13.3nC |
на замовлення 35279 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFR024NTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 83306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFR024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V |
на замовлення 99500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFR024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| IRFR024NTRPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 17 А, Ptot, Вт = 45, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 370 @ 25, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 75 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шткількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| IRFR9024NTRPBF Код товару: 23070
5
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 11 А
Rds(on),Om: 0,175 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 11 А
Rds(on),Om: 0,175 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
Монтаж: SMD
у наявності: 1185 шт
1038 шт - склад
78 шт - РАДІОМАГ-Київ
43 шт - РАДІОМАГ-Львів
22 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
78 шт - РАДІОМАГ-Київ
43 шт - РАДІОМАГ-Львів
22 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 16.50 грн |
| 10+ | 14.90 грн |
| 100+ | 13.40 грн |
| 100nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805B104K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD) Код товару: 2245
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 6153 шт
6153 шт - склад
очікується:
52000 шт
52000 шт - очікується 10.08.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 1.00 грн |
| 100+ | 0.75 грн |
| 1000+ | 0.58 грн |
| 10000+ | 0.45 грн |
| IRLML5203TRPBF Код товару: 25596
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 3 А
Rds(on),Om: 0,098 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 510/9.5
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 3 А
Rds(on),Om: 0,098 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 510/9.5
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 2136 шт
1816 шт - склад
107 шт - РАДІОМАГ-Київ
86 шт - РАДІОМАГ-Львів
93 шт - РАДІОМАГ-Харків
34 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
107 шт - РАДІОМАГ-Київ
86 шт - РАДІОМАГ-Львів
93 шт - РАДІОМАГ-Харків
34 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 4.50 грн |
| 10+ | 3.80 грн |
| 100+ | 3.20 грн |
| 1000+ | 2.90 грн |
| IRLML2030TRPBF Код товару: 38414
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 110/1.0
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 110/1.0
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 659 шт
562 шт - склад
32 шт - РАДІОМАГ-Київ
50 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
32 шт - РАДІОМАГ-Київ
50 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 5.00 грн |
| 10+ | 4.40 грн |
| 100+ | 3.80 грн |
| 100nF 50V X7R K(+/-10%) (R15W104K1HL2-L-Hitano) Код товару: 2894
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Багатошарові конденсатори
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
ТКЕ: X7R
Точність: ±10% K
Крок: 2,54 mm
Part Number: R15W104K1HL-2L
Керамічні конденсатори вивідні > Багатошарові конденсатори
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
ТКЕ: X7R
Точність: ±10% K
Крок: 2,54 mm
Part Number: R15W104K1HL-2L
товару немає в наявності
очікується:
10000 шт
10000 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 3.50 грн |
| 10+ | 3.10 грн |
| 100+ | 2.70 грн |
| 1000+ | 2.40 грн |









