Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFR024NTRPBF
IRFR024NTRPBF

IRFR024NTRPBF

irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c
Код товару: 42276
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 16 A
Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Монтаж: SMD
у наявності: 115 шт
  • 37 шт - склад
  • 27 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 21 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 18 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
1+24.00 грн
10+21.60 грн
100+18.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR024NTRPBF IR

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Drain Source Voltage, Vds:55V
  • Continuous Drain Current, Id:17A
  • On Resistance, Rds(on):75mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V
  • Package/Case:DPAK

Інші пропозиції IRFR024NTRPBF за ціною від 17.23 грн до 118.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr024npbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5496 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+26.25 грн
19+23.03 грн
50+22.11 грн
100+21.18 грн
250+20.17 грн
500+19.25 грн
1000+17.82 грн
2000+17.23 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies irfr024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+28.25 грн
4000+27.96 грн
8000+27.69 грн
12000+26.43 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies irfr024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+28.25 грн
4000+27.96 грн
8000+27.69 грн
12000+26.43 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c description Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+28.37 грн
4000+25.18 грн
6000+24.09 грн
10000+21.46 грн
14000+20.79 грн
20000+20.13 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies irfr024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+28.62 грн
4000+28.34 грн
8000+28.06 грн
12000+26.78 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies irfr024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+28.76 грн
4000+28.47 грн
8000+28.19 грн
12000+26.91 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837883-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 81921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.50 грн
500+27.23 грн
1000+22.90 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies irfr024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
384+36.96 грн
427+33.20 грн
432+32.87 грн
500+27.51 грн
Мінімальне замовлення: 384 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies irfr024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+41.85 грн
21+37.33 грн
25+36.96 грн
100+32.01 грн
250+29.35 грн
500+24.45 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837883-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 81921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+63.79 грн
50+42.20 грн
100+36.50 грн
500+27.23 грн
1000+22.90 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies irfr024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 28432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+95.97 грн
224+63.32 грн
500+49.27 грн
1000+43.16 грн
2000+36.56 грн
4000+32.35 грн
6000+30.96 грн
10000+29.39 грн
14000+28.46 грн
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c description Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
на замовлення 96294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.05 грн
10+64.00 грн
100+42.24 грн
500+30.85 грн
1000+28.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFR024N_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 55V 16A 75mOhm 13.3nC
на замовлення 34698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.12 грн
10+71.79 грн
100+41.27 грн
500+32.40 грн
1000+27.72 грн
2000+25.07 грн
4000+22.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF description irfr024npbf.pdf
IRFR024NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5496 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
18+26.25 грн
19+23.03 грн
50+22.11 грн
100+21.18 грн
250+20.17 грн
500+19.25 грн
1000+17.82 грн
2000+17.23 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF description irfr024npbf.pdf
IRFR024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+28.25 грн
4000+27.96 грн
8000+27.69 грн
12000+26.43 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF description irfr024npbf.pdf
IRFR024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+28.25 грн
4000+27.96 грн
8000+27.69 грн
12000+26.43 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF description irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c
IRFR024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+28.37 грн
4000+25.18 грн
6000+24.09 грн
10000+21.46 грн
14000+20.79 грн
20000+20.13 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF description irfr024npbf.pdf
IRFR024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+28.62 грн
4000+28.34 грн
8000+28.06 грн
12000+26.78 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF description irfr024npbf.pdf
IRFR024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+28.76 грн
4000+28.47 грн
8000+28.19 грн
12000+26.91 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF description INFN-S-A0012837883-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR024NTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 81921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+36.50 грн
500+27.23 грн
1000+22.90 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF description irfr024npbf.pdf
IRFR024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
384+36.96 грн
427+33.20 грн
432+32.87 грн
500+27.51 грн
Мінімальне замовлення: 384 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF description irfr024npbf.pdf
IRFR024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
19+41.85 грн
21+37.33 грн
25+36.96 грн
100+32.01 грн
250+29.35 грн
500+24.45 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF description INFN-S-A0012837883-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR024NTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 81921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+63.79 грн
50+42.20 грн
100+36.50 грн
500+27.23 грн
1000+22.90 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF description irfr024npbf.pdf
IRFR024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 28432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
148+95.97 грн
224+63.32 грн
500+49.27 грн
1000+43.16 грн
2000+36.56 грн
4000+32.35 грн
6000+30.96 грн
10000+29.39 грн
14000+28.46 грн
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF description irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c
IRFR024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
на замовлення 96294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+106.05 грн
10+64.00 грн
100+42.24 грн
500+30.85 грн
1000+28.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF description Infineon_IRFR024N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFR024NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 16A 75mOhm 13.3nC
на замовлення 34698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+118.12 грн
10+71.79 грн
100+41.27 грн
500+32.40 грн
1000+27.72 грн
2000+25.07 грн
4000+22.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRFR9024NTRPBF
Код товару: 23070
5 Додати до обраних Обраний товар
description irfr9024npbf.pdf
IRFR9024NTRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 11 А
Rds(on),Om: 0,175 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
Монтаж: SMD
у наявності: 1096 шт
  • 959 шт - склад
  • 72 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 39 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 22 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
2+16.50 грн
10+14.90 грн
100+13.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
100nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805B104K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Код товару: 2245
Додати до обраних Обраний товар
X7R_X5R.pdf
100nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805B104K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
товару немає в наявності
очікується: 52000 шт
  • 52000 шт - очікується 10.08.2026
КількістьЦіна
20+1.00 грн
100+0.75 грн
1000+0.58 грн
10000+0.45 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5203TRPBF
Код товару: 25596
2 Додати до обраних Обраний товар
irlml5203pbf-datasheet.pdf
IRLML5203TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 3 А
Rds(on),Om: 0,098 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 510/9.5
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 1601 шт
  • 1366 шт - склад
  • 97 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 66 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 43 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 29 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
5+4.50 грн
10+3.80 грн
100+3.20 грн
1000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2030TRPBF
Код товару: 38414
1 Додати до обраних Обраний товар
irlml2030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664aef525ec
IRLML2030TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 110/1.0
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 659 шт
  • 562 шт - склад
  • 32 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 50 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
4+5.00 грн
10+4.40 грн
100+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
100nF 50V X7R K(+/-10%) (R15W104K1HL2-L-Hitano)
Код товару: 2894
3 Додати до обраних Обраний товар
multilayer_ceramic_capacitorsepoxy.pdf
100nF 50V X7R K(+/-10%) (R15W104K1HL2-L-Hitano)
Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Багатошарові конденсатори
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
ТКЕ: X7R
Точність: ±10% K
Крок: 2,54 mm
Part Number: R15W104K1HL-2L
товару немає в наявності
очікується: 10000 шт
  • 10000 шт - очікується 29.10.2026
КількістьЦіна
6+3.50 грн
10+3.10 грн
100+2.70 грн
1000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.