на замовлення 3325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 20.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR024PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFR024PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFR024PBF за ціною від 24.51 грн до 68.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR024PBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 694 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFR024PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 694 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFR024PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5832 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFR024PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFR024PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFR024PBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 25nC On-state resistance: 0.1Ω Drain current: 9A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 42W Drain-source voltage: 60V Pulsed drain current: 56A Case: DPAK; TO252 |
на замовлення 589 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFR024PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFR024PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V |
на замовлення 4421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFR024PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO252 N-CH 60V 14A |
на замовлення 2177 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFR024PBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 25nC On-state resistance: 0.1Ω Drain current: 9A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 42W Drain-source voltage: 60V Pulsed drain current: 56A Case: DPAK; TO252 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 589 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFR024PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFR024PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 59 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFR024PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |