Продукція > VISHAY SILICONIX > IRFR024TRPBF
IRFR024TRPBF

IRFR024TRPBF Vishay Siliconix

sihfr024.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+47.64 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR024TRPBF Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFR024TRPBF за ціною від 31.01 грн до 158.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR024TRPBF IRFR024TRPBF Виробник : Vishay sihfr024.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+64.53 грн
201+64.17 грн
250+51.48 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024TRPBF IRFR024TRPBF Виробник : Vishay sihfr024.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+83.09 грн
11+69.14 грн
25+68.75 грн
100+53.18 грн
250+39.61 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024TRPBF IRFR024TRPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfr024.pdf MOSFETs TO252 N-CH 60V 14A
на замовлення 6427 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.64 грн
10+84.41 грн
100+49.73 грн
500+40.27 грн
1000+36.91 грн
2000+33.61 грн
4000+31.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024TRPBF IRFR024TRPBF Виробник : Vishay Siliconix sihfr024.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
на замовлення 2306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+158.98 грн
10+98.47 грн
100+67.17 грн
500+50.48 грн
1000+49.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024TRPBF IRFR024TRPBF
Код товару: 119352
Додати до обраних Обраний товар

sihfr024.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024TRPBF IRFR024TRPBF Виробник : Vishay sihfr024.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024TRPBF Виробник : VISHAY sihfr024.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.