IRFR110 Siliconix
Виробник: SiliconixTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 540mOhm; 4,3A; 25W; -55°C ~ 150°C; IRFR110 smd TIRFR110
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 15.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR110 Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFR110 за ціною від 15.22 грн до 15.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFR110 | Виробник : Vishay |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 540mOhm; 4,3A; 25W; -55°C ~ 150°C; IRFR110 smd TIRFR110 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
| IRFR110 | Виробник : Siliconix |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 540mOhm; 4,3A; 25W; -55°C ~ 150°C; IRFR110 smd TIRFR110 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 225 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
 |
IRFR110 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товар відсутній |
|||||
 |
IRFR110 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||
 |
IRFR110 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET RECOMMENDED ALT IRFR110PBF |
товар відсутній |
|||||
|
|
IRFR110 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET |
товар відсутній |