IRFR110PBF-BE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 138.43 грн |
| 75+ | 59.92 грн |
| 150+ | 53.80 грн |
| 525+ | 42.33 грн |
| 1050+ | 38.79 грн |
| 2025+ | 35.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR110PBF-BE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFR110PBF-BE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR110PBF-BE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs TO252 100V 4.3A N-CH MOSFET |
на замовлення 3543 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFR110PBF-BE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO252 100V 4.3A N-CH MOSFET
MOSFETs TO252 100V 4.3A N-CH MOSFET
на замовлення 3543 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)