Продукція > VISHAY > IRFR110PBF
IRFR110PBF

IRFR110PBF Vishay

sihfr110.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+16.81 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR110PBF Vishay

Description: VISHAY - IRFR110PBF - MOSFET, N-KANAL, 100V, 4.3A, D-PAK, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRFR110PBF за ціною від 22.09 грн до 141.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR110PBF IRFR110PBF Виробник : Vishay sihfr110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
395+32.13 грн
397+31.97 грн
Мінімальне замовлення: 395
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110PBF IRFR110PBF Виробник : Vishay sihfr110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+37.07 грн
22+33.36 грн
100+33.19 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110PBF IRFR110PBF Виробник : VISHAY IRFR110PBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+61.96 грн
10+43.27 грн
75+34.35 грн
150+31.35 грн
300+29.68 грн
375+28.77 грн
525+27.01 грн
1050+25.10 грн
2025+23.51 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110PBF IRFR110PBF Виробник : VISHAY IRFR110PBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4884 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.35 грн
10+53.93 грн
75+41.22 грн
150+37.62 грн
300+35.62 грн
375+34.52 грн
525+32.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110PBF IRFR110PBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfr110.pdf MOSFETs N-Chan 100V 4.3 Amp
на замовлення 5778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.39 грн
10+38.29 грн
100+30.34 грн
500+27.53 грн
1000+25.45 грн
3000+22.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110PBF IRFR110PBF Виробник : Vishay Siliconix sihfr110.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 2574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.13 грн
75+61.08 грн
150+54.85 грн
525+43.15 грн
1050+39.55 грн
2025+36.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013857044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR110PBF - MOSFET, N-KANAL, 100V, 4.3A, D-PAK
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+36.64 грн
100+35.56 грн
500+31.93 грн
1000+27.48 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110PBF IRFR110PBF
Код товару: 85835
Додати до обраних Обраний товар

sihfr110.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110PBF IRFR110PBF Виробник : Vishay sihfr110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110PBF IRFR110PBF Виробник : Vishay sihfr110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.