Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFR110PBF
IRFR110PBF

IRFR110PBF

sihfr110.pdf
Код товару: 85835
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFR110PBF за ціною від 21.36 грн до 131.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFR110PBF IRFR110PBF VISHAY IRFR110PBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+67.61 грн
12+36.40 грн
75+34.11 грн
150+32.92 грн
375+31.56 грн
2025+24.60 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110PBF IRFR110PBF VISHAY VISH-S-A0013857044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 25W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
на замовлення 2574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+91.27 грн
20+41.44 грн
100+33.96 грн
500+27.34 грн
1000+23.19 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110PBF IRFR110PBF Vishay Semiconductors sihfr110.pdf MOSFETs N-Chan 100V 4.3 Amp
на замовлення 5488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.50 грн
10+53.25 грн
100+31.51 грн
500+27.42 грн
1000+24.67 грн
3000+21.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110PBF IRFR110PBF Vishay Siliconix sihfr110.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 2554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.63 грн
75+57.03 грн
150+51.21 грн
525+40.29 грн
1050+36.93 грн
2025+34.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110PBF IRFR110PBF.pdf
IRFR110PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+67.61 грн
12+36.40 грн
75+34.11 грн
150+32.92 грн
375+31.56 грн
2025+24.60 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110PBF VISH-S-A0013857044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR110PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFR110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 25W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
на замовлення 2574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+91.27 грн
20+41.44 грн
100+33.96 грн
500+27.34 грн
1000+23.19 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110PBF sihfr110.pdf
IRFR110PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 100V 4.3 Amp
на замовлення 5488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+99.50 грн
10+53.25 грн
100+31.51 грн
500+27.42 грн
1000+24.67 грн
3000+21.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110PBF sihfr110.pdf
IRFR110PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 2554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+131.63 грн
75+57.03 грн
150+51.21 грн
525+40.29 грн
1050+36.93 грн
2025+34.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.