| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 395+ | 32.73 грн |
| 397+ | 32.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR110PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFR110PBF - MOSFET, N-KANAL, 100V, 4.3A, D-PAK, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRFR110PBF за ціною від 21.06 грн до 130.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFR110PBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFR110PBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.7A Pulsed drain current: 17A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFR110PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-Chan 100V 4.3 Amp |
на замовлення 5498 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFR110PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V |
на замовлення 2554 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFR110PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFR110PBF - MOSFET, N-KANAL, 100V, 4.3A, D-PAK tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 2931 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
IRFR110PBF Код товару: 85835
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR110PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IRFR110PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |