Продукція > VISHAY > IRFR110PBF
IRFR110PBF

IRFR110PBF Vishay

sihfr110.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+15.24 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR110PBF Vishay

Description: VISHAY - IRFR110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції IRFR110PBF за ціною від 19.50 грн до 85.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR110PBF IRFR110PBF Виробник : Vishay Siliconix sihfr110.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 2807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.46 грн
75+33.23 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110PBF IRFR110PBF Виробник : VISHAY IRFR110PBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+60.24 грн
10+42.33 грн
43+20.64 грн
118+19.50 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110PBF IRFR110PBF Виробник : VISHAY IRFR110PBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5240 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.29 грн
10+52.75 грн
43+24.76 грн
118+23.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110PBF IRFR110PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013857044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+84.66 грн
21+38.83 грн
100+38.10 грн
500+34.62 грн
1000+31.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110PBF IRFR110PBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfr110.pdf MOSFETs N-Chan 100V 4.3 Amp
на замовлення 3591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.51 грн
10+44.40 грн
100+34.47 грн
1000+32.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110PBF Виробник : IR sihfr110.pdf Транз. Пол. БМ N-HEXFET D-PAK Udss=100V; Id=4,3A; Rds=0,54 Ohm
на замовлення 48 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.01 грн
10+52.59 грн
100+47.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110PBF IRFR110PBF
Код товару: 85835
Додати до обраних Обраний товар

sihfr110.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110PBF IRFR110PBF Виробник : Vishay sihfr110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110PBF IRFR110PBF Виробник : Vishay sihfr110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.