Продукція > VISHAY / SILICONIX > IRFR110TRLPBF-BE3
IRFR110TRLPBF-BE3

IRFR110TRLPBF-BE3 Vishay / Siliconix

sihfr110.pdf Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO252 100V 4.3A N-CH MOSFET
на замовлення 8911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+109.24 грн
10+77.88 грн
100+44.80 грн
500+37.70 грн
3000+26.23 грн
6000+25.67 грн
9000+24.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR110TRLPBF-BE3 Vishay / Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFR110TRLPBF-BE3 за ціною від 40.76 грн до 142.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR110TRLPBF-BE3 IRFR110TRLPBF-BE3 Виробник : Vishay Siliconix sihfr110.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 2981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.33 грн
10+87.28 грн
100+58.86 грн
500+43.80 грн
1000+40.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110TRLPBF-BE3 IRFR110TRLPBF-BE3 Виробник : Vishay sihfr110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110TRLPBF-BE3 Виробник : Vishay sihfr110.pdf Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110TRLPBF-BE3 IRFR110TRLPBF-BE3 Виробник : Vishay Siliconix sihfr110.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110TRLPBF-BE3 Виробник : VISHAY sihfr110.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.3nC
On-state resistance: 0.54Ω
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 17A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 25W
Drain-source voltage: 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.