Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR110TRLPBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFR110TRLPBF за ціною від 18.11 грн до 129.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFR110TRLPBF | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFR110TRLPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V |
на замовлення 2391 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFR110TRLPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO252 100V 4.3A N-CH MOSFET |
на замовлення 1859 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFR110TRLPBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 18.11 грн |
| IRFR110TRLPBF |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 129.82 грн |
| 10+ | 79.75 грн |
| 100+ | 53.75 грн |
| 500+ | 40.00 грн |
| 1000+ | 37.22 грн |
| IRFR110TRLPBF |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO252 100V 4.3A N-CH MOSFET
MOSFETs TO252 100V 4.3A N-CH MOSFET
на замовлення 1859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)