Продукція > VISHAY > IRFR110TRLPBF

IRFR110TRLPBF Vishay


sihfr110.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+18.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR110TRLPBF Vishay

Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFR110TRLPBF за ціною від 18.15 грн до 131.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFR110TRLPBF IRFR110TRLPBF Vishay sihfr110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110TRLPBF IRFR110TRLPBF Vishay Semiconductors sihfr110.pdf MOSFETs TO252 100V 4.3A N-CH MOSFET
на замовлення 1859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.23 грн
10+81.87 грн
100+47.01 грн
500+37.14 грн
1000+32.14 грн
3000+30.80 грн
9000+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110TRLPBF IRFR110TRLPBF Vishay Siliconix sihfr110.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.63 грн
10+80.86 грн
100+54.50 грн
500+40.55 грн
1000+37.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110TRLPBF sihfr110.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+18.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110TRLPBF sihfr110.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO252 100V 4.3A N-CH MOSFET
на замовлення 1859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+119.23 грн
10+81.87 грн
100+47.01 грн
500+37.14 грн
1000+32.14 грн
3000+30.80 грн
9000+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110TRLPBF sihfr110.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+131.63 грн
10+80.86 грн
100+54.50 грн
500+40.55 грн
1000+37.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.