IRFR120NTRLPBF
Код товару: 211272
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFR120NTRLPBF за ціною від 24.25 грн до 136.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFR120NTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR120NTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 28000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR120NTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR120NTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR120NTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR120NTRLPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 9.4A 210mOhm 16.7nC |
на замовлення 612 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR120NTRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR120NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 48W SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm |
на замовлення 67 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRFR120NTRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR120NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 48W SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm |
на замовлення 67 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 67 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR120NTRLPBF | International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1065 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRFR120NTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 758+ | 48.23 грн |
| 1000+ | 44.48 грн |
| IRFR120NTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 758+ | 48.23 грн |
| 1000+ | 44.48 грн |
| 10000+ | 39.66 грн |
| IRFR120NTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 758+ | 48.23 грн |
| 1000+ | 44.48 грн |
| IRFR120NTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 104.48 грн |
| IRFR120NTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 140+ | 104.48 грн |
| IRFR120NTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 9.4A 210mOhm 16.7nC
MOSFETs MOSFT 100V 9.4A 210mOhm 16.7nC
на замовлення 612 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 136.63 грн |
| 10+ | 124.32 грн |
| 100+ | 96.09 грн |
| 3000+ | 32.06 грн |
| 6000+ | 25.60 грн |
| 9000+ | 24.70 грн |
| 24000+ | 24.25 грн |
| IRFR120NTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR120NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
Description: INFINEON - IRFR120NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFR120NTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR120NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
Description: INFINEON - IRFR120NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFR120NTRLPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 758+ | 48.23 грн |
| 1000+ | 44.48 грн |
З цим товаром купують
| 4,3 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RMC104301FR-Cinetech) (резистор SMD) Код товару: 77336
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Cinetech
SMD резистори > 0805
Номінал: 4,3 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 4,3 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
на замовлення: 1200 шт
- 1200 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 0.30 грн |
| 1000+ | 0.22 грн |
| 10000+ | 0.16 грн |
| 10uF 50V 10% X7R 1210 (CL32B106KBJNNNE) Код товару: 73303
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 1210
Ємність: 10 мкФ
Номінальна напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1210
Керамічні SMD конденсатори > 1210
Ємність: 10 мкФ
Номінальна напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1210
у наявності: 1608 шт
- 1608 шт - склад
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 12.00 грн |
| 10+ | 10.50 грн |
| 100+ | 9.40 грн |
| 1000+ | 8.50 грн |
| 100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104 – Yageo) Код товару: 60735
5
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Yageo
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 нФ
Номін. напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 нФ
Номін. напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 218632 шт
- 215520 шт - склад
- 484 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 55 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 2378 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 195 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 4000 шт
- 4000 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 1.20 грн |
| 100+ | 0.90 грн |
| 1000+ | 0.70 грн |
| 10000+ | 0.55 грн |
| BSS123LT1G Код товару: 42430
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ON
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 0,17 А
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 20/
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 0,17 А
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 20/
Монтаж: SMD
у наявності: 141 шт
- 40 шт - склад
- 80 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 10 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 115 шт
- 115 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 3.00 грн |
| 10+ | 2.50 грн |
| 100+ | 2.00 грн |
| 100 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-100R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 27691
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 100 Ом
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 100 Ом
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
у наявності: 7450 шт
- 7450 шт - склад
очікується: 20000 шт
- 20000 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 0.30 грн |
| 1000+ | 0.22 грн |
| 10000+ | 0.16 грн |







