Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR120NTRLPBF
IRFR120NTRLPBF

IRFR120NTRLPBF Infineon Technologies

infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+29.64 грн
6000+29.46 грн
9000+29.37 грн
12000+28.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR120NTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR120NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IRFR120NTRLPBF за ціною від 23.84 грн до 95.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+30.97 грн
1000+30.90 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+31.81 грн
6000+31.62 грн
9000+31.53 грн
12000+30.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+33.24 грн
1000+33.16 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
305+40.01 грн
307+39.85 грн
308+39.69 грн
309+38.10 грн
500+35.13 грн
Мінімальне замовлення: 305
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+43.77 грн
17+37.15 грн
25+37.00 грн
100+35.53 грн
250+32.76 грн
500+31.31 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
278+44.00 грн
293+41.73 грн
500+39.04 грн
1000+35.37 грн
2000+30.87 грн
Мінімальне замовлення: 278
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
682+44.74 грн
Мінімальне замовлення: 682
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
682+44.74 грн
Мінімальне замовлення: 682
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFR120N_DataSheet_v01_01_EN-3363096.pdf MOSFET MOSFT 100V 9.1A 210mOhm 16.7nC
на замовлення 15694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.07 грн
10+59.31 грн
100+43.85 грн
500+40.09 грн
1000+32.66 грн
3000+25.01 грн
6000+23.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR120NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+87.48 грн
50+65.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.50 грн
10+58.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR120NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRLPBF
Код товару: 211272
Додати до обраних Обраний товар

irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr120npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 39W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr120npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 39W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.