Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR120NTRLPBF
IRFR120NTRLPBF

IRFR120NTRLPBF Infineon Technologies

Infineon_IRFR120N_DataSheet_v01_01_EN-3363096.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 100V 9.1A 210mOhm 16.7nC
на замовлення 15694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.89 грн
10+60.83 грн
100+44.97 грн
500+41.13 грн
1000+33.50 грн
3000+25.66 грн
6000+24.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR120NTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR120NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IRFR120NTRLPBF за ціною від 25.50 грн до 97.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR120NTRLPBF
Код товару: 211272
Додати до обраних Обраний товар

irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+25.64 грн
6000+25.55 грн
9000+25.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+27.61 грн
6000+27.51 грн
9000+27.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+33.84 грн
25+33.77 грн
100+32.42 грн
250+29.88 грн
500+28.62 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
336+36.45 грн
Мінімальне замовлення: 336
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
758+40.37 грн
1000+37.23 грн
Мінімальне замовлення: 758
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
758+40.37 грн
1000+37.23 грн
Мінімальне замовлення: 758
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
270+45.33 грн
320+38.32 грн
500+38.16 грн
1000+34.83 грн
2000+30.14 грн
Мінімальне замовлення: 270
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR120NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+65.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR120NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+89.73 грн
50+66.71 грн
100+65.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.95 грн
10+59.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d IRFR120NTRLPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.