IRFR120NTRLPBF Infineon Technologies
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 39.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR120NTRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFR120NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IRFR120NTRLPBF за ціною від 24.50 грн до 95.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFR120NTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR120NTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR120NTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR120NTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR120NTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFR120NTRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR120NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFR120NTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 100V 9.1A 210mOhm 16.7nC |
на замовлення 15694 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR120NTRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR120NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFR120NTRLPBF Код товару: 211272
Додати до обраних
Обраний товар
|
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
 |
IRFR120NTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR120NTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
IRFR120NTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 14499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| IRFR120NTRLPBF | Виробник : International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1065 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IRFR120NTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IRFR120NTRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFR120NTRLPBF SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
IRFR120NTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |