Продукція > VISHAY > IRFR120PBF
IRFR120PBF

IRFR120PBF Vishay

sihfr120.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+16.42 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR120PBF Vishay

Description: VISHAY - IRFR120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.7 A, 0.27 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції IRFR120PBF за ціною від 20.56 грн до 99.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR120PBF IRFR120PBF Виробник : Vishay sihfr120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 5804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
409+29.82 грн
Мінімальне замовлення: 409
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120PBF IRFR120PBF Виробник : Vishay sihfr120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 5804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+34.59 грн
525+33.36 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120PBF IRFR120PBF Виробник : Vishay sihfr120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
251+48.51 грн
263+46.44 грн
525+45.53 грн
1000+39.11 грн
Мінімальне замовлення: 251
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120PBF IRFR120PBF Виробник : VISHAY IRFR120.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+57.80 грн
10+39.00 грн
41+21.77 грн
112+20.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120PBF IRFR120PBF Виробник : VISHAY IRFR120.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 930 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.36 грн
10+48.61 грн
41+26.12 грн
112+24.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120PBF IRFR120PBF Виробник : Vishay Siliconix sihfr120.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 5216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.92 грн
75+42.53 грн
150+40.71 грн
525+37.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120PBF IRFR120PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013857027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.7 A, 0.27 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+92.80 грн
12+71.07 грн
100+44.69 грн
500+41.42 грн
1000+38.17 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120PBF IRFR120PBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfr120.pdf MOSFETs N-Chan 100V 7.7 Amp
на замовлення 5854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.90 грн
10+54.33 грн
100+39.33 грн
1000+37.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120PBF IRFR120PBF Виробник : Vishay sihfr120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120PBF IRFR120PBF Виробник : Vishay sihfr120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.