Продукція > VISHAY > IRFR120PBF
IRFR120PBF

IRFR120PBF Vishay


sihfr120.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2304 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+17.21 грн
Мінімальне замовлення: 19
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR120PBF Vishay

Description: VISHAY - IRFR120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.7 A, 0.27 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm.

Інші пропозиції IRFR120PBF за ціною від 18.76 грн до 76.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFR120PBF IRFR120PBF Виробник : Vishay sihfr120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
272+43.18 грн
317+ 36.95 грн
500+ 34.66 грн
1000+ 28.46 грн
Мінімальне замовлення: 272
IRFR120PBF IRFR120PBF Виробник : Vishay sihfr120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+46.79 грн
15+ 40.09 грн
100+ 34.31 грн
500+ 31.03 грн
1000+ 24.46 грн
Мінімальне замовлення: 13
IRFR120PBF IRFR120PBF Виробник : Vishay Siliconix sihfr120.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 6432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+55.61 грн
75+ 42.82 грн
150+ 33.93 грн
525+ 26.99 грн
1050+ 26.7 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFR120PBF IRFR120PBF Виробник : VISHAY IRFR120.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+58.42 грн
14+ 25.73 грн
25+ 22.74 грн
41+ 19.84 грн
112+ 18.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFR120PBF IRFR120PBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfr120.pdf MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp
на замовлення 8447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+60.13 грн
10+ 47.14 грн
100+ 35.38 грн
500+ 34.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFR120PBF IRFR120PBF Виробник : VISHAY IRFR120.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1882 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+70.1 грн
9+ 32.06 грн
25+ 27.29 грн
41+ 23.81 грн
112+ 22.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR120PBF IRFR120PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013857027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.7 A, 0.27 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
на замовлення 2979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+76.39 грн
13+ 58.87 грн
100+ 45.53 грн
500+ 41.24 грн
1000+ 33.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRFR120PBF IRFR120PBF Виробник : Vishay sihfr120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFR120PBF IRFR120PBF Виробник : Vishay sihfr120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)