Продукція > VISHAY > IRFR120PBF

IRFR120PBF Vishay


sihfr120.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
535+27.34 грн
565+25.88 грн
573+25.53 грн
Мінімальне замовлення: 535 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 535 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR120PBF Vishay

Description: VISHAY - IRFR120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.7 A, 0.27 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm.

Інші пропозиції IRFR120PBF за ціною від 24.66 грн до 154.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFR120PBF IRFR120PBF Vishay sihfr120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+29.77 грн
29+27.38 грн
100+25.92 грн
500+24.66 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120PBF IRFR120PBF Vishay sihfr120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
222+65.89 грн
234+62.61 грн
Мінімальне замовлення: 222 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120PBF IRFR120PBF Vishay Semiconductors sihfr120.pdf MOSFETs N-Chan 100V 7.7 Amp
на замовлення 554 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+151.52 грн
10+77.18 грн
100+53.15 грн
500+43.39 грн
1000+40.84 грн
3000+38.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120PBF IRFR120PBF Vishay Siliconix sihfr120.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.40 грн
10+95.08 грн
75+67.42 грн
150+56.93 грн
525+47.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120PBF IRFR120PBF VISHAY VISH-S-A0013857027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.7 A, 0.27 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
на замовлення 1382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120PBF IRFR120PBF Vishay sihfr120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120PBF IRFR120PBF Vishay sihfr120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120PBF sihfr120.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+29.77 грн
29+27.38 грн
100+25.92 грн
500+24.66 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120PBF sihfr120.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
222+65.89 грн
234+62.61 грн
Мінімальне замовлення: 222 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120PBF sihfr120.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 100V 7.7 Amp
на замовлення 554 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+151.52 грн
10+77.18 грн
100+53.15 грн
500+43.39 грн
1000+40.84 грн
3000+38.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120PBF sihfr120.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+154.40 грн
10+95.08 грн
75+67.42 грн
150+56.93 грн
525+47.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120PBF VISH-S-A0013857027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFR120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.7 A, 0.27 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
на замовлення 1382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120PBF sihfr120.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120PBF sihfr120.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.