Продукція > VISHAY > IRFR120PBF
IRFR120PBF

IRFR120PBF Vishay

sihfr120.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+18.12 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR120PBF Vishay

Description: VISHAY - IRFR120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.7 A, 0.27 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFR120PBF за ціною від 18.70 грн до 156.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR120PBF IRFR120PBF Виробник : Vishay sihfr120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
571+22.21 грн
581+21.81 грн
592+21.41 грн
1000+20.30 грн
3000+18.70 грн
Мінімальне замовлення: 571
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120PBF IRFR120PBF Виробник : Vishay sihfr120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+25.51 грн
31+23.80 грн
100+23.37 грн
500+22.12 грн
1000+20.14 грн
3000+19.23 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120PBF IRFR120PBF Виробник : VISHAY IRFR120.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Kind of package: tube
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
On-state resistance: 0.27Ω
Drain current: 4.9A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 42W
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+37.71 грн
20+32.60 грн
75+30.93 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120PBF IRFR120PBF Виробник : VISHAY IRFR120.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Kind of package: tube
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
On-state resistance: 0.27Ω
Drain current: 4.9A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 42W
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 433 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.26 грн
20+40.63 грн
75+37.12 грн
525+34.12 грн
1050+33.02 грн
3000+31.32 грн
6000+30.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120PBF IRFR120PBF Виробник : Vishay sihfr120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
245+51.80 грн
Мінімальне замовлення: 245
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120PBF IRFR120PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013857027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.7 A, 0.27 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+101.46 грн
16+57.29 грн
100+51.09 грн
500+42.77 грн
1000+36.10 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120PBF IRFR120PBF Виробник : Vishay sihfr120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+104.34 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120PBF IRFR120PBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfr120.pdf MOSFETs N-Chan 100V 7.7 Amp
на замовлення 3244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.46 грн
10+52.01 грн
100+40.58 грн
500+36.66 грн
1000+33.38 грн
3000+32.42 грн
6000+29.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120PBF IRFR120PBF Виробник : Vishay Siliconix sihfr120.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 5108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.72 грн
75+68.26 грн
150+61.42 грн
525+48.48 грн
1050+44.52 грн
2025+41.35 грн
5025+37.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120PBF IRFR120PBF Виробник : Vishay sihfr120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.