на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 46.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR120TRLPBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFR120TRLPBF за ціною від 45.14 грн до 139.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFR120TRLPBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR120TRLPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR120TRLPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFR120TRLPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-Chan 100V 7.7 Amp |
на замовлення 3651 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFR120TRLPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IRFR120TRLPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.7A; Idm: 31A; 42W Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 42W Polarisation: unipolar Gate charge: 16nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 31A Drain-source voltage: 100V Drain current: 7.7A On-state resistance: 0.27Ω кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
IRFR120TRLPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRFR120TRLPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IRFR120TRLPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.7A; Idm: 31A; 42W Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 42W Polarisation: unipolar Gate charge: 16nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 31A Drain-source voltage: 100V Drain current: 7.7A On-state resistance: 0.27Ω |
товару немає в наявності |