Продукція > VISHAY > IRFR120TRPBF
IRFR120TRPBF

IRFR120TRPBF Vishay

91266.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+16.88 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR120TRPBF Vishay

Description: VISHAY - IRFR120TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.7 A, 0.27 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції IRFR120TRPBF за ціною від 33.85 грн до 120.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR120TRPBF IRFR120TRPBF Виробник : Vishay Siliconix sihfr120.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+42.61 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120TRPBF IRFR120TRPBF Виробник : Vishay sihfr120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+49.16 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120TRPBF IRFR120TRPBF Виробник : Vishay sihfr120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+52.94 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120TRPBF IRFR120TRPBF Виробник : Vishay sihfr120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+54.78 грн
13+48.92 грн
25+48.43 грн
100+33.85 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120TRPBF IRFR120TRPBF Виробник : VISHAY sihfr120.pdf Description: VISHAY - IRFR120TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.7 A, 0.27 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+66.02 грн
500+51.98 грн
1000+39.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120TRPBF IRFR120TRPBF Виробник : Vishay Siliconix sihfr120.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 2112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.58 грн
10+77.47 грн
100+60.45 грн
500+49.45 грн
1000+47.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120TRPBF IRFR120TRPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfr120.pdf MOSFETs TO252 100V 7.7A N-CH MOSFET
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.35 грн
10+81.84 грн
100+55.50 грн
500+47.07 грн
1000+38.34 грн
2000+36.03 грн
4000+34.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120TRPBF IRFR120TRPBF Виробник : VISHAY sihfr120.pdf Description: VISHAY - IRFR120TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.7 A, 0.27 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+120.50 грн
10+84.51 грн
100+66.02 грн
500+51.98 грн
1000+39.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120TRPBF IRFR120TRPBF Виробник : Vishay sihfr120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120TRPBF IRFR120TRPBF Виробник : Vishay sihfr120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120TRPBF IRFR120TRPBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC451A201C06143&compId=IRFR120.pdf?ci_sign=62eb78ea31d13b0cf6e99662587c932e680a00ac Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 31A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 0.27Ω
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120TRPBF IRFR120TRPBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC451A201C06143&compId=IRFR120.pdf?ci_sign=62eb78ea31d13b0cf6e99662587c932e680a00ac Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 31A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 0.27Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.