Продукція > VISHAY > IRFR120TRPBF

IRFR120TRPBF VISHAY


VISH-S-A0013857027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFR120TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.7 A, 0.27 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 159 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+47.20 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR120TRPBF VISHAY

Description: VISHAY - IRFR120TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.7 A, 0.27 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFR120TRPBF за ціною від 33.90 грн до 160.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFR120TRPBF IRFR120TRPBF Vishay sihfr120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+47.53 грн
4000+47.05 грн
6000+46.59 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120TRPBF IRFR120TRPBF Vishay sihfr120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+47.53 грн
4000+47.05 грн
6000+46.59 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120TRPBF IRFR120TRPBF Vishay sihfr120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+56.33 грн
16+48.00 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120TRPBF IRFR120TRPBF Vishay Siliconix sihfr120.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.83 грн
10+94.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120TRPBF IRFR120TRPBF VISHAY VISH-S-A0013857027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR120TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.7 A, 0.27 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+159.53 грн
12+71.54 грн
100+55.18 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120TRPBF IRFR120TRPBF Vishay Semiconductors sihfr120.pdf MOSFETs TO252 100V 7.7A N-CH MOSFET
на замовлення 3299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+160.35 грн
10+91.59 грн
100+57.51 грн
500+48.70 грн
1000+44.69 грн
2000+41.30 грн
4000+33.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120TRPBF IRFR120TRPBF Vishay sihfr120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120TRPBF sihfr120.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+47.53 грн
4000+47.05 грн
6000+46.59 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120TRPBF sihfr120.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+47.53 грн
4000+47.05 грн
6000+46.59 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120TRPBF sihfr120.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
14+56.33 грн
16+48.00 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120TRPBF sihfr120.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+153.83 грн
10+94.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120TRPBF VISH-S-A0013857027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFR120TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.7 A, 0.27 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+159.53 грн
12+71.54 грн
100+55.18 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120TRPBF sihfr120.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO252 100V 7.7A N-CH MOSFET
на замовлення 3299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+160.35 грн
10+91.59 грн
100+57.51 грн
500+48.70 грн
1000+44.69 грн
2000+41.30 грн
4000+33.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120TRPBF sihfr120.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.