Продукція > VISHAY > IRFR120TRPBF

IRFR120TRPBF Vishay


sihfr120.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+47.43 грн
4000+46.95 грн
6000+46.48 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR120TRPBF Vishay

Description: VISHAY - IRFR120TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.7 A, 0.27 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFR120TRPBF за ціною від 46.48 грн до 56.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFR120TRPBF IRFR120TRPBF Vishay sihfr120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+47.43 грн
4000+46.95 грн
6000+46.48 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120TRPBF IRFR120TRPBF Vishay sihfr120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+56.20 грн
16+47.90 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120TRPBF IRFR120TRPBF Vishay Semiconductors sihfr120.pdf MOSFETs TO252 100V 7.7A N-CH MOSFET
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120TRPBF IRFR120TRPBF VISHAY VISH-S-A0013857027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR120TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.7 A, 0.27 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120TRPBF IRFR120TRPBF Vishay sihfr120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120TRPBF IRFR120TRPBF VISHAY VISH-S-A0013857027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR120TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.7 A, 0.27 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120TRPBF sihfr120.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+47.43 грн
4000+46.95 грн
6000+46.48 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120TRPBF sihfr120.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+56.20 грн
16+47.90 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120TRPBF sihfr120.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO252 100V 7.7A N-CH MOSFET
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120TRPBF VISH-S-A0013857027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFR120TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.7 A, 0.27 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120TRPBF sihfr120.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120TRPBF VISH-S-A0013857027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFR120TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.7 A, 0.27 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.