на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 18.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR120TRPBF Vishay
Description: VISHAY - IRFR120TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.7 A, 0.27 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFR120TRPBF за ціною від 34.98 грн до 174.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR120TRPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFR120TRPBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFR120TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.7 A, 0.27 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFR120TRPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO252 100V 7.7A N-CH MOSFET |
на замовлення 3873 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFR120TRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR120TRPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V |
на замовлення 6202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR120TRPBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFR120TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.7 A, 0.27 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR120TRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
IRFR120TRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IRFR120TRPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W Kind of package: reel; tape Case: DPAK; TO252 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Gate charge: 16nC On-state resistance: 0.27Ω Drain current: 4.9A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 31A Power dissipation: 42W Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |