Технічний опис IRFR1N60A IR
Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V, Power Dissipation (Max): 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D-Pak, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFR1N60A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IRFR1N60A | Виробник : IR |
 TO-252 |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
IRFR1N60A | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товар відсутній |
|
 |
IRFR1N60A | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D-Pak Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
 |
IRFR1N60A | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFR1N60APBF |
товар відсутній |