| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 402+ | 36.43 грн |
| 414+ | 35.34 грн |
| 422+ | 34.67 грн |
| 525+ | 32.78 грн |
| 1050+ | 30.27 грн |
| 2025+ | 28.63 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
402 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR1N60APBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V, Power Dissipation (Max): 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFR1N60APBF за ціною від 31.94 грн до 219.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFR1N60APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 3095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR1N60APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 3095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR1N60APBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.89A Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 7Ω Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Pulsed drain current: 5.6A Power dissipation: 36W |
на замовлення 223 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR1N60APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR1N60APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR1N60APBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAKPackaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V |
на замовлення 2706 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR1N60APBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-Chan 600V 1.4 Amp |
на замовлення 2230 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR1N60APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRFR1N60APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 3095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 58.75 грн |
| IRFR1N60APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 3095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 249+ | 58.75 грн |
| IRFR1N60APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 5.6A
Power dissipation: 36W
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 5.6A
Power dissipation: 36W
на замовлення 223 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 68.43 грн |
| 25+ | 50.07 грн |
| 29+ | 33.80 грн |
| 79+ | 31.94 грн |
| IRFR1N60APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 163+ | 89.84 грн |
| 192+ | 76.23 грн |
| 210+ | 69.75 грн |
| 525+ | 63.15 грн |
| IRFR1N60APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 163+ | 90.11 грн |
| IRFR1N60APBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V
на замовлення 2706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 171.03 грн |
| 10+ | 105.37 грн |
| 75+ | 74.94 грн |
| 150+ | 63.34 грн |
| 525+ | 53.40 грн |
| IRFR1N60APBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 600V 1.4 Amp
MOSFETs N-Chan 600V 1.4 Amp
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 182.18 грн |
| 10+ | 73.82 грн |
| 100+ | 54.28 грн |
| 500+ | 49.02 грн |
| 1000+ | 44.74 грн |
| 3000+ | 41.44 грн |
| 6000+ | 40.77 грн |
| IRFR1N60APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 219.66 грн |
| 10+ | 89.52 грн |
| 75+ | 75.95 грн |
| 150+ | 67.01 грн |
| 525+ | 58.26 грн |






