| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 22+ | 35.17 грн |
| 75+ | 34.11 грн |
| 150+ | 33.46 грн |
| 525+ | 31.64 грн |
| 1050+ | 29.22 грн |
| 2025+ | 27.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR1N60APBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V, Power Dissipation (Max): 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFR1N60APBF за ціною від 27.64 грн до 161.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFR1N60APBF | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 2440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFR1N60APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFR1N60APBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.89A Power dissipation: 36W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 7Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 5.6A Gate charge: 14nC |
на замовлення 225 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFR1N60APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFR1N60APBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V |
на замовлення 2716 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFR1N60APBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-Chan 600V 1.4 Amp |
на замовлення 2230 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
IRFR1N60APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 126 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 91 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFR1N60APBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 402+ | 35.18 грн |
| 414+ | 34.12 грн |
| 422+ | 33.47 грн |
| 525+ | 31.65 грн |
| 1050+ | 29.22 грн |
| 2025+ | 27.64 грн |
| IRFR1N60APBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 63.96 грн |
| 75+ | 59.26 грн |
| 150+ | 56.62 грн |
| IRFR1N60APBF |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5.6A
Gate charge: 14nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5.6A
Gate charge: 14nC
на замовлення 225 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 63.98 грн |
| 25+ | 47.28 грн |
| 75+ | 39.08 грн |
| 150+ | 34.81 грн |
| IRFR1N60APBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 159+ | 88.77 грн |
| 191+ | 74.13 грн |
| 211+ | 67.08 грн |
| IRFR1N60APBF |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V
на замовлення 2716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 161.89 грн |
| 75+ | 70.86 грн |
| 150+ | 63.82 грн |
| 525+ | 50.50 грн |
| 1050+ | 46.43 грн |
| 2025+ | 43.18 грн |
| IRFR1N60APBF |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 600V 1.4 Amp
MOSFETs N-Chan 600V 1.4 Amp
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFR1N60APBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)