Продукція > VISHAY > IRFR1N60APBF

IRFR1N60APBF Vishay


sihfr1n6.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
402+36.43 грн
414+35.34 грн
422+34.67 грн
525+32.78 грн
1050+30.27 грн
2025+28.63 грн
Мінімальне замовлення: 402 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 402 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR1N60APBF Vishay

Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V, Power Dissipation (Max): 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFR1N60APBF за ціною від 31.94 грн до 219.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFR1N60APBF IRFR1N60APBF Vishay sihfr1n6.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 3095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+58.75 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1N60APBF IRFR1N60APBF Vishay sihfr1n6.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 3095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
249+58.75 грн
Мінімальне замовлення: 249 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1N60APBF IRFR1N60APBF VISHAY IRFR1N60A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 5.6A
Power dissipation: 36W
на замовлення 223 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+68.43 грн
25+50.07 грн
29+33.80 грн
79+31.94 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1N60APBF IRFR1N60APBF Vishay sihfr1n6.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+89.84 грн
192+76.23 грн
210+69.75 грн
525+63.15 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1N60APBF IRFR1N60APBF Vishay sihfr1n6.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+90.11 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1N60APBF IRFR1N60APBF Vishay Siliconix sihfr1n6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V
на замовлення 2706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.03 грн
10+105.37 грн
75+74.94 грн
150+63.34 грн
525+53.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1N60APBF IRFR1N60APBF Vishay Semiconductors sihfr1n6.pdf MOSFETs N-Chan 600V 1.4 Amp
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+182.18 грн
10+73.82 грн
100+54.28 грн
500+49.02 грн
1000+44.74 грн
3000+41.44 грн
6000+40.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1N60APBF IRFR1N60APBF Vishay sihfr1n6.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+219.66 грн
10+89.52 грн
75+75.95 грн
150+67.01 грн
525+58.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1N60APBF sihfr1n6.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 3095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+58.75 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1N60APBF sihfr1n6.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 3095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
249+58.75 грн
Мінімальне замовлення: 249 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1N60APBF IRFR1N60A.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 5.6A
Power dissipation: 36W
на замовлення 223 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+68.43 грн
25+50.07 грн
29+33.80 грн
79+31.94 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1N60APBF sihfr1n6.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
163+89.84 грн
192+76.23 грн
210+69.75 грн
525+63.15 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1N60APBF sihfr1n6.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
163+90.11 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1N60APBF sihfr1n6.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V
на замовлення 2706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+171.03 грн
10+105.37 грн
75+74.94 грн
150+63.34 грн
525+53.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1N60APBF sihfr1n6.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 600V 1.4 Amp
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+182.18 грн
10+73.82 грн
100+54.28 грн
500+49.02 грн
1000+44.74 грн
3000+41.44 грн
6000+40.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1N60APBF sihfr1n6.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+219.66 грн
10+89.52 грн
75+75.95 грн
150+67.01 грн
525+58.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.