Продукція > VISHAY SILICONIX > IRFR1N60ATRPBF-BE3
IRFR1N60ATRPBF-BE3

IRFR1N60ATRPBF-BE3 Vishay Siliconix

sihfr1n6.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V
на замовлення 1869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+99.66 грн
10+ 79.42 грн
100+ 63.24 грн
500+ 50.21 грн
1000+ 42.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR1N60ATRPBF-BE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V, Power Dissipation (Max): 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFR1N60ATRPBF-BE3 за ціною від 39.46 грн до 108.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFR1N60ATRPBF-BE3 IRFR1N60ATRPBF-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihfr1n6.pdf MOSFET 600V N-CH HEXFET D-PAK
на замовлення 3884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+108.26 грн
10+ 88.29 грн
100+ 61.09 грн
500+ 51.74 грн
1000+ 42.26 грн
2000+ 39.72 грн
4000+ 39.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFR1N60ATRPBF-BE3 Виробник : Vishay sihfr1n6.pdf N Channel MOSFET
товар відсутній
IRFR1N60ATRPBF-BE3 IRFR1N60ATRPBF-BE3 Виробник : Vishay Siliconix sihfr1n6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V
товар відсутній