Продукція > VISHAY > IRFR210PBF
IRFR210PBF

IRFR210PBF Vishay

sihfr210.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
37+20.40 грн
500+20.07 грн
1000+19.85 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR210PBF Vishay

Description: VISHAY - IRFR210PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 2.6 A, 1.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 25W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm.

Інші пропозиції IRFR210PBF за ціною від 19.86 грн до 156.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFR210PBF IRFR210PBF Vishay sihfr210.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
693+20.41 грн
705+20.08 грн
1000+19.86 грн
Мінімальне замовлення: 693 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR210PBF IRFR210PBF Vishay Semiconductors sihfr210.pdf MOSFETs N-Chan 200V 2.6 Amp
на замовлення 11588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.36 грн
100+32.18 грн
500+25.73 грн
1000+24.88 грн
3000+24.25 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR210PBF IRFR210PBF Vishay sihfr210.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+43.47 грн
500+40.06 грн
1000+38.03 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR210PBF IRFR210PBF Vishay sihfr210.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
326+43.47 грн
500+40.06 грн
1000+38.03 грн
Мінімальне замовлення: 326 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR210PBF IRFR210PBF VISHAY IRFR210.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.6A; Idm: 10A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 8.2nC
на замовлення 169 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+43.86 грн
12+38.52 грн
75+36.14 грн
150+34.87 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR210PBF IRFR210PBF Vishay Siliconix sihfr210.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 12951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.42 грн
75+47.54 грн
150+42.70 грн
525+33.59 грн
1050+30.79 грн
2025+30.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR210PBF IRFR210PBF VISHAY VISH-S-A0012662170-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR210PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 2.6 A, 1.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 25W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+156.24 грн
11+77.71 грн
100+58.05 грн
500+40.01 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR210PBF IRFR210PBF Vishay sihfr210.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR210PBF sihfr210.pdf
IRFR210PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
693+20.41 грн
705+20.08 грн
1000+19.86 грн
Мінімальне замовлення: 693 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR210PBF sihfr210.pdf
IRFR210PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 200V 2.6 Amp
на замовлення 11588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
10+35.36 грн
100+32.18 грн
500+25.73 грн
1000+24.88 грн
3000+24.25 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR210PBF sihfr210.pdf
IRFR210PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
18+43.47 грн
500+40.06 грн
1000+38.03 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR210PBF sihfr210.pdf
IRFR210PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
326+43.47 грн
500+40.06 грн
1000+38.03 грн
Мінімальне замовлення: 326 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR210PBF IRFR210.pdf
IRFR210PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.6A; Idm: 10A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 8.2nC
на замовлення 169 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
11+43.86 грн
12+38.52 грн
75+36.14 грн
150+34.87 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR210PBF sihfr210.pdf
IRFR210PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 12951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+109.42 грн
75+47.54 грн
150+42.70 грн
525+33.59 грн
1050+30.79 грн
2025+30.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR210PBF VISH-S-A0012662170-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR210PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFR210PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 2.6 A, 1.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 25W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+156.24 грн
11+77.71 грн
100+58.05 грн
500+40.01 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR210PBF sihfr210.pdf
IRFR210PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.