на замовлення 4445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 18.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR210PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFR210PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 2.6 A, 1.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFR210PBF за ціною від 23.80 грн до 62.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR210PBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 2091 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFR210PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 2091 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFR210PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 3745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFR210PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 3745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFR210PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFR210PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 2.6 A, 1.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFR210PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-Chan 200V 2.6 Amp |
на замовлення 14291 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFR210PBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.6A; Idm: 10A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 2.6A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 8.2nC |
на замовлення 301 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFR210PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V |
на замовлення 13167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFR210PBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.6A; Idm: 10A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 2.6A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 8.2nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 301 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFR210PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товару немає в наявності |