Продукція > VISHAY SILICONIX > IRFR210TRLPBF-BE3
IRFR210TRLPBF-BE3

IRFR210TRLPBF-BE3 Vishay Siliconix

sihfr210.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+30.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR210TRLPBF-BE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFR210TRLPBF-BE3 за ціною від 28.93 грн до 74.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFR210TRLPBF-BE3 IRFR210TRLPBF-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihfr210.pdf MOSFET 200V N-CH HEXFET D-PAK
на замовлення 23999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+69.51 грн
10+ 56.13 грн
100+ 38.05 грн
500+ 32.17 грн
1000+ 28.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFR210TRLPBF-BE3 IRFR210TRLPBF-BE3 Виробник : Vishay Siliconix sihfr210.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 5996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+74.31 грн
10+ 58.69 грн
100+ 45.66 грн
500+ 36.33 грн
1000+ 29.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR210TRLPBF-BE3 Виробник : Vishay sihfr210.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A
товар відсутній