Продукція > VISHAY SILICONIX > IRFR210TRLPBF
IRFR210TRLPBF

IRFR210TRLPBF Vishay Siliconix

sihfr210.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+35.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR210TRLPBF Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFR210TRLPBF за ціною від 27.12 грн до 95.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR210TRLPBF IRFR210TRLPBF Виробник : Vishay Siliconix sihfr210.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 4671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.18 грн
10+57.77 грн
100+42.49 грн
500+39.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR210TRLPBF IRFR210TRLPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfr210.pdf MOSFETs N-Chan 200V 2.6 Amp
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.99 грн
10+63.96 грн
100+40.91 грн
500+34.36 грн
1000+31.01 грн
3000+30.09 грн
6000+27.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR210TRLPBF IRFR210TRLPBF Виробник : Vishay sihfr210.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR210TRLPBF IRFR210TRLPBF Виробник : Vishay sihfr210.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR210TRLPBF Виробник : VISHAY sihfr210.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.6A; Idm: 10A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.