Продукція > VISHAY > IRFR210TRPBF
IRFR210TRPBF

IRFR210TRPBF Vishay


sihfr210.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+18.20 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR210TRPBF Vishay

Description: VISHAY - IRFR210TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 2.6 A, 1.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції IRFR210TRPBF за ціною від 25.42 грн до 129.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR210TRPBF IRFR210TRPBF Виробник : Vishay sihfr210.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+30.41 грн
21+29.92 грн
25+29.44 грн
100+27.92 грн
250+25.42 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR210TRPBF IRFR210TRPBF Виробник : Vishay Siliconix sihfr210.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+32.10 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR210TRPBF IRFR210TRPBF Виробник : Vishay sihfr210.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+32.35 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR210TRPBF IRFR210TRPBF Виробник : Vishay sihfr210.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+32.80 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR210TRPBF IRFR210TRPBF Виробник : Vishay sihfr210.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+35.73 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR210TRPBF IRFR210TRPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0012662170-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR210TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 2.6 A, 1.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+48.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR210TRPBF IRFR210TRPBF Виробник : Vishay sihfr210.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+50.06 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR210TRPBF IRFR210TRPBF Виробник : Vishay sihfr210.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+53.41 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR210TRPBF IRFR210TRPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0012662170-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR210TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 2.6 A, 1.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+97.38 грн
12+69.82 грн
100+48.69 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR210TRPBF IRFR210TRPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfr210.pdf MOSFETs 200V Vds, 20V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 12580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.01 грн
10+74.96 грн
100+43.92 грн
500+38.99 грн
1000+36.12 грн
2000+34.94 грн
24000+32.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR210TRPBF IRFR210TRPBF Виробник : Vishay Siliconix sihfr210.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 7733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.72 грн
10+79.24 грн
100+53.11 грн
500+39.31 грн
1000+35.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR210TRPBF IRFR210TRPBF Виробник : Vishay sihfr210.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR210TRPBF IRFR210TRPBF Виробник : Vishay sihfr210.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR210TRPBF Виробник : VISHAY sihfr210.pdf IRFR210TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.