на замовлення 1653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 76.6 грн |
| 10+ | 62.03 грн |
| 100+ | 42.02 грн |
| 500+ | 37.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR214PBF Vishay Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D-Pak, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFR214PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IRFR214PBF | Виробник : IR |
 |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
IRFR214PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 2.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товар відсутній |
|
 |
IRFR214PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 2.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товар відсутній |
|
| IRFR214PBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 2.2A; Idm: 8.8A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 2.2A Pulsed drain current: 8.8A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
IRFR214PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D-Pak Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
| IRFR214PBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 2.2A; Idm: 8.8A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 2.2A Pulsed drain current: 8.8A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |