на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 42.19 грн |
| 15+ | 40.69 грн |
| 25+ | 40.27 грн |
| 100+ | 36.17 грн |
| 250+ | 33.15 грн |
| 500+ | 29.84 грн |
| 1000+ | 28.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR214TRPBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D-Pak, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFR214TRPBF за ціною від 30.87 грн до 95.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFR214TRPBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 250V 2.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFR214TRPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET N-Chan 250V 2.2 Amp |
на замовлення 323 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFR214TRPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D-Pak Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V |
на замовлення 1947 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFR214TRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 2.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRFR214TRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 2.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| IRFR214TRPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 2.2A; Idm: 8.8A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 2.2A Pulsed drain current: 8.8A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
IRFR214TRPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D-Pak Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| IRFR214TRPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 2.2A; Idm: 8.8A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 2.2A Pulsed drain current: 8.8A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |