Можливі заміни IRFR220NTRPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR220NPBF Код товару: 113425
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
 Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-252/D-Pak Uds,V: 200 V Idd,A: 5 А Rds(on), Ohm: 600 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 300/15 Монтаж: SMD |
у наявності: 7 шт
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується:
200 шт
200 шт - очікується 20.06.2026
|
|
Інші пропозиції IRFR220NTRPBF за ціною від 17.53 грн до 115.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR220NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFR220NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR220NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFR220NTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR220NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.6 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1956 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFR220NTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5A Power dissipation: 43W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2754 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR220NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR220NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
на замовлення 11317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFR220NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 600mOhms 15nC |
на замовлення 18188 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR220NTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR220NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.6 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1956 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| IRFR220NTRPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 5 А, Ptot, Вт = 43, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 300 @ 25, Qg, нКл = 23 @ 10 В, Rds = 600 мОм @ 2,9 A, 10 В, Tексп, °C = -55 .. + 175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: кількість в упаковці: 2000 шт |
на замовлення 85 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
|
IRFR220NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
IRFR220NTRPBF | Виробник : International Rectifier |
D-Pak,N-chanal power MOSFET 200V,5A,RDS=0.6 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |