IRFR220NTRPBF Infineon Technologies
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 16.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR220NTRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFR220NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.6 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 43W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Можливі заміни IRFR220NTRPBF Infineon Technologies
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR220NPBF Код товару: 113425
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
 Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-252/D-Pak Uds,V: 200 V Idd,A: 5 А Rds(on), Ohm: 600 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 300/15 Монтаж: SMD |
у наявності: 107 шт
58 шт - склад
8 шт - РАДІОМАГ-Київ 30 шт - РАДІОМАГ-Харків 11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
Інші пропозиції IRFR220NTRPBF за ціною від 17.74 грн до 103.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR220NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFR220NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR220NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR220NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFR220NTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR220NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.6 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3732 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFR220NTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5A Power dissipation: 43W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2017 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR220NTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5A Power dissipation: 43W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2017 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR220NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
на замовлення 13996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFR220NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 600mOhms 15nC |
на замовлення 6121 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR220NTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR220NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.6 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3732 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR220NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
IRFR220NTRPBF Код товару: 104027
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||||
|
|
IRFR220NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |