Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFR220NTRPBF

IRFR220NTRPBF

irfr220npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d8a7b206f
Код товару: 104027
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Можливі заміни IRFR220NTRPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFR220NPBF IRFR220NPBF
Код товару: 113425
Додати до обраних Обраний товар
IR irfr220npbf-223238.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-252/D-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 600 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 300/15
Монтаж: SMD
у наявності: 205 шт
  • 180 шт - склад
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2+13.00 грн
10+11.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NPBF
Код товару: 113425
Додати до обраних Обраний товар
description irfr220npbf-223238.pdf
IRFR220NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-252/D-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 600 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 300/15
Монтаж: SMD
у наявності: 205 шт
  • 180 шт - склад
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
2+13.00 грн
10+11.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції IRFR220NTRPBF за ціною від 19.90 грн до 102.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFR220NTRPBF IRFR220NTRPBF Infineon Technologies irfr220npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d8a7b206f Description: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+27.23 грн
4000+24.16 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBF IRFR220NTRPBF Infineon Technologies infineonirfr220ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+28.74 грн
4000+28.45 грн
6000+28.16 грн
10000+26.89 грн
14000+24.65 грн
20000+23.42 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBF IRFR220NTRPBF Infineon Technologies infineonirfr220ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+28.93 грн
4000+28.64 грн
6000+28.35 грн
10000+27.07 грн
14000+24.81 грн
20000+23.58 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBF IRFR220NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr220npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 43W
Technology: HEXFET®
на замовлення 2198 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+83.93 грн
10+53.48 грн
50+38.55 грн
100+33.41 грн
500+24.54 грн
1000+21.64 грн
2000+19.90 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBF IRFR220NTRPBF Infineon Technologies infineonirfr220ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+91.05 грн
215+65.90 грн
287+49.34 грн
500+40.16 грн
1000+31.31 грн
2000+24.43 грн
4000+24.19 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBF IRFR220NTRPBF Infineon Technologies irfr220npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d8a7b206f Description: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 4580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.29 грн
10+61.71 грн
100+40.63 грн
500+29.64 грн
1000+26.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBF IRFR220NTRPBF Infineon Technologies Infineon-IRFR220N-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 600mOhms 15nC
на замовлення 15948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBF IRFR220NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012838703-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR220NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.6 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
на замовлення 1636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBF IRFR220NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012838703-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR220NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.6 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
на замовлення 1636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBF International Rectifier/Infineon irfr220npbf.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 5 А, Ptot, Вт = 43, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 300 @ 25, Qg, нКл = 23 @ 10 В, Rds = 600 мОм @ 2,9 A, 10 В, Tексп, °C = -55 .. + 175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2000+22.74 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBF irfr220npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d8a7b206f
IRFR220NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+27.23 грн
4000+24.16 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBF infineonirfr220ndatasheetv0101en.pdf
IRFR220NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+28.74 грн
4000+28.45 грн
6000+28.16 грн
10000+26.89 грн
14000+24.65 грн
20000+23.42 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBF infineonirfr220ndatasheetv0101en.pdf
IRFR220NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+28.93 грн
4000+28.64 грн
6000+28.35 грн
10000+27.07 грн
14000+24.81 грн
20000+23.58 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBF irfr220npbf.pdf
IRFR220NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 43W
Technology: HEXFET®
на замовлення 2198 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+83.93 грн
10+53.48 грн
50+38.55 грн
100+33.41 грн
500+24.54 грн
1000+21.64 грн
2000+19.90 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBF infineonirfr220ndatasheetv0101en.pdf
IRFR220NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
156+91.05 грн
215+65.90 грн
287+49.34 грн
500+40.16 грн
1000+31.31 грн
2000+24.43 грн
4000+24.19 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBF irfr220npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d8a7b206f
IRFR220NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 4580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+102.29 грн
10+61.71 грн
100+40.63 грн
500+29.64 грн
1000+26.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBF Infineon-IRFR220N-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRFR220NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 600mOhms 15nC
на замовлення 15948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBF INFN-S-A0012838703-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR220NTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR220NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.6 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
на замовлення 1636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBF INFN-S-A0012838703-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR220NTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR220NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.6 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
на замовлення 1636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBF irfr220npbf.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 5 А, Ptot, Вт = 43, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 300 @ 25, Qg, нКл = 23 @ 10 В, Rds = 600 мОм @ 2,9 A, 10 В, Tексп, °C = -55 .. + 175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+22.74 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.