IRFR220NTRPBF


irfr220npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d8a7b206f
Код товару: 104027
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Можливі заміни IRFR220NTRPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFR220NPBF IRFR220NPBF
Код товару: 113425
Додати до обраних Обраний товар
IR irfr220npbf-223238.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-252/D-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 600 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 300/15
Монтаж: SMD
у наявності: 205 шт
  • 180 шт - склад
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 14 шт
  • 14 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
2+13.00 грн
10+11.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NPBF
Код товару: 113425
Додати до обраних Обраний товар
description irfr220npbf-223238.pdf
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-252/D-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 600 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 300/15
Монтаж: SMD
у наявності: 205 шт
  • 180 шт - склад
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 14 шт
  • 14 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+13.00 грн
10+11.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції IRFR220NTRPBF за ціною від 12.95 грн до 83.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFR220NTRPBF IRFR220NTRPBF Infineon Technologies irfr220npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d8a7b206f Description: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+17.94 грн
4000+15.84 грн
6000+15.11 грн
10000+13.40 грн
14000+12.95 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBF IRFR220NTRPBF Infineon Technologies infineonirfr220ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 34000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+25.09 грн
4000+23.04 грн
6000+21.58 грн
10000+20.08 грн
14000+17.97 грн
20000+16.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBF IRFR220NTRPBF Infineon Technologies infineonirfr220ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 34000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+33.81 грн
4000+31.15 грн
6000+29.80 грн
10000+27.27 грн
14000+24.44 грн
20000+22.72 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBF IRFR220NTRPBF Infineon Technologies irfr220npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d8a7b206f Description: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 14577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.74 грн
10+41.94 грн
100+27.31 грн
500+19.72 грн
1000+17.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBF IRFR220NTRPBF Infineon Technologies infineonirfr220ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+79.23 грн
14+54.40 грн
100+37.67 грн
500+27.97 грн
1000+23.37 грн
2000+21.34 грн
4000+19.70 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBF IRFR220NTRPBF Infineon Technologies infineonirfr220ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+79.23 грн
261+54.40 грн
376+37.67 грн
500+27.97 грн
1000+23.37 грн
2000+21.34 грн
4000+19.70 грн
Мінімальне замовлення: 179 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBF IRFR220NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr220npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 2193 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+83.93 грн
10+53.48 грн
50+38.55 грн
100+33.41 грн
500+24.54 грн
1000+21.64 грн
2000+19.90 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBF IRFR220NTRPBF Infineon Technologies Infineon-IRFR220N-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 600mOhms 15nC
на замовлення 25480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBF IRFR220NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012838703-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR220NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.6 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
на замовлення 1471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBF IRFR220NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012838703-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR220NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.6 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
на замовлення 1471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBF International Rectifier/Infineon irfr220npbf.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 5 А, Ptot, Вт = 43, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 300 @ 25, Qg, нКл = 23 @ 10 В, Rds = 600 мОм @ 2,9 A, 10 В, Tексп, °C = -55 .. + 175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2000+22.74 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBF irfr220npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d8a7b206f
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+17.94 грн
4000+15.84 грн
6000+15.11 грн
10000+13.40 грн
14000+12.95 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBF infineonirfr220ndatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 34000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+25.09 грн
4000+23.04 грн
6000+21.58 грн
10000+20.08 грн
14000+17.97 грн
20000+16.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBF infineonirfr220ndatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 34000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+33.81 грн
4000+31.15 грн
6000+29.80 грн
10000+27.27 грн
14000+24.44 грн
20000+22.72 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBF irfr220npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d8a7b206f
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 14577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+69.74 грн
10+41.94 грн
100+27.31 грн
500+19.72 грн
1000+17.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBF infineonirfr220ndatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+79.23 грн
14+54.40 грн
100+37.67 грн
500+27.97 грн
1000+23.37 грн
2000+21.34 грн
4000+19.70 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBF infineonirfr220ndatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
179+79.23 грн
261+54.40 грн
376+37.67 грн
500+27.97 грн
1000+23.37 грн
2000+21.34 грн
4000+19.70 грн
Мінімальне замовлення: 179 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBF irfr220npbf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 2193 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+83.93 грн
10+53.48 грн
50+38.55 грн
100+33.41 грн
500+24.54 грн
1000+21.64 грн
2000+19.90 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBF Infineon-IRFR220N-DataSheet-v01_01-EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 600mOhms 15nC
на замовлення 25480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBF INFN-S-A0012838703-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR220NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.6 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
на замовлення 1471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBF INFN-S-A0012838703-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR220NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.6 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
на замовлення 1471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBF irfr220npbf.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 5 А, Ptot, Вт = 43, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 300 @ 25, Qg, нКл = 23 @ 10 В, Rds = 600 мОм @ 2,9 A, 10 В, Tексп, °C = -55 .. + 175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+22.74 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.