Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR220NTRPBF
IRFR220NTRPBF

IRFR220NTRPBF Infineon Technologies

irfr220npbf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+15.58 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR220NTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR220NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.6 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 43W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Можливі заміни IRFR220NTRPBF Infineon Technologies

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR220NPBF IRFR220NPBF
Код товару: 113425
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IR irfr220npbf-223238.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-252/D-Pak
Uds,V: 200 V
Idd,A: 5 А
Rds(on), Ohm: 600 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 300/15
Монтаж: SMD
у наявності: 146 шт
68 шт - склад
18 шт - РАДІОМАГ-Київ
30 шт - РАДІОМАГ-Харків
14 шт - РАДІОМАГ-Одеса
16 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+13.00 грн
10+11.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції IRFR220NTRPBF за ціною від 17.75 грн до 88.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR220NTRPBF IRFR220NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr220n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
605+20.25 грн
Мінімальне замовлення: 605
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBF IRFR220NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr220n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+21.81 грн
4000+21.46 грн
6000+18.58 грн
10000+17.75 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBF IRFR220NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr220npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d8a7b206f Description: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+22.93 грн
4000+20.45 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBF IRFR220NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr220n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+23.40 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBF IRFR220NTRPBF Виробник : INFINEON irfr220npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d8a7b206f Description: INFINEON - IRFR220NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.6 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+42.83 грн
500+31.76 грн
1000+26.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBF IRFR220NTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C119302F95F1A303005056AB0C4F&compId=irfr220npbf.pdf?ci_sign=c9508836b8df0e5004441533b4bc289849090945 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 43W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+67.72 грн
10+56.91 грн
45+20.75 грн
123+19.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBF IRFR220NTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C119302F95F1A303005056AB0C4F&compId=irfr220npbf.pdf?ci_sign=c9508836b8df0e5004441533b4bc289849090945 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 43W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1791 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.27 грн
10+70.92 грн
45+24.90 грн
123+23.58 грн
2000+23.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBF IRFR220NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr220npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d8a7b206f Description: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 5040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.89 грн
10+53.92 грн
100+36.10 грн
500+25.64 грн
1000+23.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBF IRFR220NTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838703-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR220NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.6 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+88.88 грн
50+59.93 грн
100+42.83 грн
500+31.76 грн
1000+26.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBF IRFR220NTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFR220N_DataSheet_v01_01_EN-3363236.pdf MOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 600mOhms 15nC
на замовлення 3987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.92 грн
10+60.31 грн
25+52.22 грн
100+34.86 грн
500+26.49 грн
1000+24.22 грн
2000+21.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBF IRFR220NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr220n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBF Виробник : International Rectifier Corporation irfr220npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d8a7b206f D-Pak,N-chanal power MOSFET 200V,5A,RDS=0.6
на замовлення 100 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBF
Код товару: 104027
Додати до обраних Обраний товар

irfr220npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d8a7b206f Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBF IRFR220NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr220n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.