IRFR220PBF-BE3 Vishay Siliconix


sihfr220.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 200V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+40.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR220PBF-BE3 Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 200V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-252AA, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc).

Інші пропозиції IRFR220PBF-BE3 за ціною від 39.52 грн до 158.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFR220PBF-BE3 IRFR220PBF-BE3 Vishay Siliconix sihfr220.pdf Description: N-CHANNEL 200V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.76 грн
10+88.43 грн
100+59.90 грн
500+44.75 грн
1000+42.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220PBF-BE3 IRFR220PBF-BE3 Vishay Semiconductors sihfr220.pdf MOSFETs TO252 200V 4.8A N-CH MOSFET
на замовлення 8741 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.04 грн
10+100.38 грн
100+58.93 грн
500+46.92 грн
1000+41.76 грн
3000+39.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220PBF-BE3 sihfr220.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 200V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+143.76 грн
10+88.43 грн
100+59.90 грн
500+44.75 грн
1000+42.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220PBF-BE3 sihfr220.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO252 200V 4.8A N-CH MOSFET
на замовлення 8741 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+158.04 грн
10+100.38 грн
100+58.93 грн
500+46.92 грн
1000+41.76 грн
3000+39.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.