| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 34+ | 22.55 грн |
| 75+ | 21.93 грн |
| 150+ | 21.71 грн |
| 225+ | 20.73 грн |
| 375+ | 18.81 грн |
| 525+ | 17.88 грн |
| 750+ | 17.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR220PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFR220PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 4.8 A, 0.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 42W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm.
Інші пропозиції IRFR220PBF за ціною від 17.05 грн до 95.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFR220PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1501 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR220PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 8900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR220PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 8900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR220PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR220PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR220PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAKPackaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V |
на замовлення 3686 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR220PBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 3A Pulsed drain current: 19A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 133 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR220PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFR220PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 4.8 A, 0.8 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 42W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm |
на замовлення 1668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRFR220PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO252 200V 4.8A N-CH MOSFET |
на замовлення 19428 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRFR220PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 109 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFR220PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 626+ | 22.55 грн |
| 644+ | 21.93 грн |
| 650+ | 21.71 грн |
| 657+ | 20.73 грн |
| 670+ | 18.81 грн |
| 677+ | 17.88 грн |
| 750+ | 17.05 грн |
| IRFR220PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 58.41 грн |
| 75+ | 49.16 грн |
| 150+ | 48.67 грн |
| 225+ | 46.46 грн |
| 375+ | 35.46 грн |
| 525+ | 33.71 грн |
| 750+ | 26.45 грн |
| IRFR220PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 242+ | 58.41 грн |
| 288+ | 49.16 грн |
| 290+ | 48.67 грн |
| 293+ | 46.46 грн |
| 375+ | 35.46 грн |
| 525+ | 33.71 грн |
| 750+ | 26.45 грн |
| IRFR220PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 206+ | 68.65 грн |
| 255+ | 55.42 грн |
| 258+ | 54.87 грн |
| 260+ | 52.37 грн |
| 375+ | 38.40 грн |
| 525+ | 36.49 грн |
| 750+ | 27.60 грн |
| IRFR220PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 68.90 грн |
| 75+ | 55.63 грн |
| 150+ | 55.07 грн |
| 225+ | 52.56 грн |
| 375+ | 38.54 грн |
| 525+ | 36.63 грн |
| 750+ | 27.70 грн |
| IRFR220PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 3686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 75+ | 70.32 грн |
| 150+ | 60.92 грн |
| 225+ | 57.44 грн |
| 375+ | 50.25 грн |
| 525+ | 48.08 грн |
| 750+ | 45.97 грн |
| IRFR220PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 133 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 95.52 грн |
| 12+ | 35.90 грн |
| 75+ | 33.72 грн |
| IRFR220PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFR220PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 4.8 A, 0.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
Description: VISHAY - IRFR220PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 4.8 A, 0.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFR220PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO252 200V 4.8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO252 200V 4.8A N-CH MOSFET
на замовлення 19428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFR220PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)








