Продукція > VISHAY > IRFR220PBF
IRFR220PBF

IRFR220PBF Vishay

sihfr220.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+18.08 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR220PBF Vishay

Description: VISHAY - IRFR220PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 4.8 A, 0.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFR220PBF за ціною від 21.33 грн до 61.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR220PBF IRFR220PBF Виробник : Vishay sihfr220.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
477+25.57 грн
Мінімальне замовлення: 477
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220PBF IRFR220PBF Виробник : Vishay sihfr220.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+27.39 грн
28+25.30 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220PBF IRFR220PBF Виробник : Vishay sihfr220.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
443+27.49 грн
451+27.00 грн
500+26.14 грн
1000+24.31 грн
Мінімальне замовлення: 443
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220PBF IRFR220PBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfr220.pdf MOSFETs TO252 200V 4.8A N-CH MOSFET
на замовлення 21853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+30.32 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220PBF IRFR220PBF Виробник : Vishay Siliconix sihfr220.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 1797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.88 грн
75+23.67 грн
150+22.98 грн
525+21.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220PBF IRFR220PBF Виробник : Vishay sihfr220.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+36.88 грн
24+29.54 грн
100+29.02 грн
500+27.10 грн
1000+24.20 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220PBF IRFR220PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013857036-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR220PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 4.8 A, 0.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+37.50 грн
30+28.64 грн
100+27.45 грн
500+25.09 грн
1000+22.79 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220PBF IRFR220PBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B4441A5A85E0C7&compId=irfr220_IRFU220.pdf?ci_sign=09c0d69354892f01dc53ebda8dea77a29e099692 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+51.14 грн
10+41.87 грн
39+23.90 грн
107+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220PBF IRFR220PBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B4441A5A85E0C7&compId=irfr220_IRFU220.pdf?ci_sign=09c0d69354892f01dc53ebda8dea77a29e099692 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 192 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+61.37 грн
10+52.17 грн
39+28.68 грн
107+27.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220PBF IRFR220PBF Виробник : Vishay sihfr220.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.