Продукція > VISHAY > IRFR220TRLPBF
IRFR220TRLPBF

IRFR220TRLPBF Vishay


sihfr220.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2371 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+26.33 грн
25+25.92 грн
100+24.59 грн
250+22.41 грн
500+21.16 грн
1000+20.80 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR220TRLPBF Vishay

Description: MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFR220TRLPBF за ціною від 22.40 грн до 48.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR220TRLPBF IRFR220TRLPBF Виробник : Vishay sihfr220.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
430+28.36 грн
437+27.91 грн
444+27.47 грн
451+26.06 грн
500+23.73 грн
1000+22.40 грн
Мінімальне замовлення: 430
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRLPBF IRFR220TRLPBF Виробник : Vishay Siliconix sihfr220.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+39.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRLPBF IRFR220TRLPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfr220.pdf MOSFETs TO252 200V 4.8A N-CH MOSFET
на замовлення 2666 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+48.03 грн
10+46.17 грн
100+38.75 грн
500+38.68 грн
1000+38.60 грн
3000+36.99 грн
6000+31.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRLPBF IRFR220TRLPBF Виробник : Vishay Siliconix sihfr220.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 5215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.43 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRLPBF IRFR220TRLPBF Виробник : Vishay sihfr220.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRLPBF IRFR220TRLPBF Виробник : Vishay sihfr220.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRLPBF IRFR220TRLPBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC465DB00A26143&compId=IRFR220.pdf?ci_sign=7f7539da1fd503f6421510ce3b90ae539417e171 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.