Продукція > VISHAY > IRFR220TRPBF

IRFR220TRPBF Vishay


sihfr220.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 574 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
447+31.67 грн
448+31.63 грн
451+31.36 грн
455+29.98 грн
500+27.51 грн
Мінімальне замовлення: 447 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR220TRPBF Vishay

Description: VISHAY - IRFR220TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 4.8 A, 0.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFR220TRPBF за ціною від 21.29 грн до 153.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFR220TRPBF IRFR220TRPBF Vishay sihfr220.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+32.83 грн
24+31.67 грн
25+31.63 грн
100+30.24 грн
250+27.76 грн
500+26.41 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRPBF IRFR220TRPBF Vishay Siliconix sihfr220.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+45.22 грн
4000+40.56 грн
6000+39.04 грн
10000+35.03 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRPBF IRFR220TRPBF VISHAY VISH-S-A0013857036-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR220TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 4.8 A, 0.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.54 грн
500+34.28 грн
1000+28.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRPBF IRFR220TRPBF Vishay sihfr220.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+62.43 грн
4000+36.02 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRPBF IRFR220TRPBF Vishay sihfr220.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+62.60 грн
4000+36.12 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRPBF IRFR220TRPBF VISHAY VISH-S-A0013857036-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR220TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 4.8 A, 0.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+102.79 грн
12+68.99 грн
100+46.54 грн
500+34.28 грн
1000+28.69 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRPBF IRFR220TRPBF Vishay Semiconductors sihfr220.pdf MOSFETs N-Chan 200V 4.8 Amp
на замовлення 2647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.83 грн
10+61.76 грн
100+38.27 грн
500+30.94 грн
1000+26.50 грн
2000+23.96 грн
4000+21.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRPBF IRFR220TRPBF Vishay Siliconix sihfr220.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 14507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.83 грн
10+95.14 грн
100+64.46 грн
500+48.16 грн
1000+44.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRPBF sihfr220.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
23+32.83 грн
24+31.67 грн
25+31.63 грн
100+30.24 грн
250+27.76 грн
500+26.41 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRPBF sihfr220.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+45.22 грн
4000+40.56 грн
6000+39.04 грн
10000+35.03 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRPBF VISH-S-A0013857036-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFR220TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 4.8 A, 0.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+46.54 грн
500+34.28 грн
1000+28.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRPBF sihfr220.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+62.43 грн
4000+36.02 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRPBF sihfr220.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+62.60 грн
4000+36.12 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRPBF VISH-S-A0013857036-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFR220TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 4.8 A, 0.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+102.79 грн
12+68.99 грн
100+46.54 грн
500+34.28 грн
1000+28.69 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRPBF sihfr220.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 200V 4.8 Amp
на замовлення 2647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+111.83 грн
10+61.76 грн
100+38.27 грн
500+30.94 грн
1000+26.50 грн
2000+23.96 грн
4000+21.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRPBF sihfr220.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 14507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+153.83 грн
10+95.14 грн
100+64.46 грн
500+48.16 грн
1000+44.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.