IRFR224PBF Vishay
Код товару: 135321
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: Vishay
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 250 V
Idd,A: 3,8 A
Rds(on), Ohm: 1,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 260/14
Монтаж: SMD
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFR224PBF за ціною від 45.98 грн до 171.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR224PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFET N-Chan 250V 3.8 Amp |
на замовлення 3953 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFR224PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube Mounting Type: Surface Mount Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) |
на замовлення 2141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRFR224PBF |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 250V 3.8 Amp
MOSFET N-Chan 250V 3.8 Amp
на замовлення 3953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 113.22 грн |
| 10+ | 91.39 грн |
| 100+ | 61.68 грн |
| 500+ | 52.25 грн |
| 1000+ | 46.77 грн |
| IRFR224PBF |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Description: MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 2141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 171.68 грн |
| 75+ | 75.46 грн |
| 150+ | 67.96 грн |
| 525+ | 53.78 грн |
| 1050+ | 49.45 грн |
| 2025+ | 45.98 грн |