
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1200+ | 38.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR224PBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFR224PBF за ціною від 11.60 грн до 170.34 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFR224PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR224PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR224PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 2.4A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 2.4A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1677 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR224PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 2.4A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 2.4A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1677 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR224PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 3953 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR224PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V |
на замовлення 2141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR224PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1713 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
IRFR224PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
IRFR224PBF Код товару: 135321
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Vishay |
![]() Uds,V: 250 V Idd,A: 3,8 A Rds(on), Ohm: 1,1 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 260/14 Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
|
|
|||||||||||||||
![]() |
IRFR224PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |