на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 19.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR224TRPBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFR224TRPBF за ціною від 33.73 грн до 177.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR224TRPBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 250V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR224TRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR224TRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR224TRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFR224TRPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR224TRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFR224TRPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 250V N-CH HEXFET D-PAK |
на замовлення 7238 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR224TRPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR224TRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRFR224TRPBF | Виробник : VISHAY |
|
на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
IRFR224TRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| IRFR224TRPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 3.8A; Idm: 15A; 42W Mounting: SMD Case: DPAK; TO252 Power dissipation: 42W Kind of package: reel; tape On-state resistance: 1.1Ω Pulsed drain current: 15A Gate charge: 14nC Polarisation: unipolar Drain current: 3.8A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 250V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 2000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IRFR224TRPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 3.8A; Idm: 15A; 42W Mounting: SMD Case: DPAK; TO252 Power dissipation: 42W Kind of package: reel; tape On-state resistance: 1.1Ω Pulsed drain current: 15A Gate charge: 14nC Polarisation: unipolar Drain current: 3.8A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 250V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V |
товар відсутній |