IRFR310TRPBF-BE3 Vishay Siliconix


sihfr310.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+44.49 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR310TRPBF-BE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFR310TRPBF-BE3 за ціною від 47.42 грн до 152.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFR310TRPBF-BE3 IRFR310TRPBF-BE3 Vishay Siliconix sihfr310.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 3797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.40 грн
10+93.88 грн
50+70.93 грн
100+59.61 грн
500+47.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR310TRPBF-BE3 IRFR310TRPBF-BE3 Vishay / Siliconix sihfr310.pdf MOSFETs TO252 400V 1.7A N-CH MOSFET
на замовлення 9429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR310TRPBF-BE3 sihfr310.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 3797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+152.40 грн
10+93.88 грн
50+70.93 грн
100+59.61 грн
500+47.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR310TRPBF-BE3 sihfr310.pdf
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO252 400V 1.7A N-CH MOSFET
на замовлення 9429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.