на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 26.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR310TRPBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFR310TRPBF за ціною від 26.63 грн до 82.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFR310TRPBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 400V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFR310TRPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR310TRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR310TRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFR310TRPBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFR310TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 1.7 A, 3.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm |
на замовлення 5692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR310TRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR310TRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR310TRPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V |
на замовлення 13713 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFR310TRPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET N-Chan 400V 1.7 Amp |
на замовлення 8657 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR310TRPBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFR310TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 1.7 A, 3.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm |
на замовлення 5692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFR310TRPBF Код товару: 148162 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
IRFR310TRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRFR310TRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| IRFR310TRPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.7A; Idm: 6A; 25W; DPAK,TO252 Drain-source voltage: 400V Drain current: 1.7A On-state resistance: 3.6Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 25W Polarisation: unipolar Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 12nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 6A кількість в упаковці: 2000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IRFR310TRPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.7A; Idm: 6A; 25W; DPAK,TO252 Drain-source voltage: 400V Drain current: 1.7A On-state resistance: 3.6Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 25W Polarisation: unipolar Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 12nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 6A |
товар відсутній |