IRFR320PBF Vishay
Код товару: 128330
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: Vishay
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 400 V
Idd,A: 3,1 A
Rds(on), Ohm: 1,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 350/20
Монтаж: THT
у наявності 640 шт:
611 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 25.00 грн |
| 10+ | 22.50 грн |
| 100+ | 19.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFR320PBF за ціною від 21.54 грн до 182.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFR320PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 8247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFR320PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 8247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFR320PBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; Idm: 12A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 2A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 714 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFR320PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 1425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFR320PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-Chan 400V 3.1 Amp |
на замовлення 3799 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFR320PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFR320PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3.1 A, 1.8 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm SVHC: Lead (04-Feb-2026) |
на замовлення 2996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFR320PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAKPackaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
на замовлення 1617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFR320PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 113 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFR320PBF | Vishay Siliconix |
N-канальний ПТ, Udss, В = 400, Id = 3,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25, Qg, нКл = 20, Rds = 1,8 Ом, Ugs(th) = 4 В, Р, Вт = 2,5, 45, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: DPAK Очікується: 200 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| IRFR320PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 8247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 495+ | 28.54 грн |
| 499+ | 28.30 грн |
| 514+ | 27.47 грн |
| 1000+ | 25.87 грн |
| 3000+ | 22.60 грн |
| IRFR320PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 8247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 26+ | 29.96 грн |
| 27+ | 28.36 грн |
| 100+ | 28.10 грн |
| 500+ | 26.31 грн |
| 1000+ | 23.79 грн |
| 3000+ | 21.54 грн |
| IRFR320PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; Idm: 12A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; Idm: 12A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 714 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 73.84 грн |
| 10+ | 47.49 грн |
| 75+ | 41.06 грн |
| 375+ | 38.77 грн |
| IRFR320PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 145+ | 97.73 грн |
| 220+ | 64.33 грн |
| 750+ | 58.78 грн |
| 1125+ | 52.74 грн |
| IRFR320PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 400V 3.1 Amp
MOSFETs N-Chan 400V 3.1 Amp
на замовлення 3799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 132.09 грн |
| 10+ | 93.81 грн |
| 100+ | 44.59 грн |
| 500+ | 37.48 грн |
| 1000+ | 34.88 грн |
| 3000+ | 29.33 грн |
| IRFR320PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFR320PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3.1 A, 1.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Description: VISHAY - IRFR320PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3.1 A, 1.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 132.09 грн |
| 10+ | 95.17 грн |
| 100+ | 52.02 грн |
| 500+ | 40.61 грн |
| 1000+ | 34.88 грн |
| IRFR320PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 182.76 грн |
| 10+ | 113.14 грн |
| 100+ | 77.41 грн |
| 500+ | 58.29 грн |
| 1000+ | 53.67 грн |
| IRFR320PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFR320PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
N-канальний ПТ, Udss, В = 400, Id = 3,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25, Qg, нКл = 20, Rds = 1,8 Ом, Ugs(th) = 4 В, Р, Вт = 2,5, 45, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: DPAK Очікується: 200 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 400, Id = 3,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25, Qg, нКл = 20, Rds = 1,8 Ом, Ugs(th) = 4 В, Р, Вт = 2,5, 45, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: DPAK Очікується: 200 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 25.32 грн |
З цим товаром купують
| BZX55-C5V1 Код товару: 26390
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: YJ/NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-35
Напруга стабілізації, Vz: 5,1 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: -0.8mV/K
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-35
Напруга стабілізації, Vz: 5,1 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: -0.8mV/K
у наявності: 5036 шт
4876 шт - склад
28 шт - РАДІОМАГ-Київ
73 шт - РАДІОМАГ-Харків
59 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
28 шт - РАДІОМАГ-Київ
73 шт - РАДІОМАГ-Харків
59 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
200 шт
200 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 16+ | 1.30 грн |
| 100+ | 1.00 грн |
| 1000+ | 0.80 грн |
| 100 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-100R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 27691
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 100 Ohm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 100 Ohm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
товару немає в наявності
очікується:
20000 шт
20000 шт - очікується 10.08.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 0.30 грн |
| 1000+ | 0.22 грн |
| 10000+ | 0.16 грн |
| 10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo) Код товару: 82544
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Yageo
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 279941 шт
247990 шт - склад
14651 шт - РАДІОМАГ-Київ
9700 шт - РАДІОМАГ-Львів
300 шт - РАДІОМАГ-Харків
7300 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
14651 шт - РАДІОМАГ-Київ
9700 шт - РАДІОМАГ-Львів
300 шт - РАДІОМАГ-Харків
7300 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 0.30 грн |
| 1000+ | 0.22 грн |
| 10000+ | 0.16 грн |
| 10 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-10R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 1526
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 Ohm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 Ohm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 9020 шт
5172 шт - склад
2048 шт - РАДІОМАГ-Київ
200 шт - РАДІОМАГ-Львів
1600 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2048 шт - РАДІОМАГ-Київ
200 шт - РАДІОМАГ-Львів
1600 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
30000 шт
30000 шт - очікується 29.10.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 0.30 грн |
| 1000+ | 0.22 грн |
| 10000+ | 0.16 грн |









