Продукція > VISHAY > IRFR320TRPBF
IRFR320TRPBF

IRFR320TRPBF Vishay

sihfr320.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+20.41 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR320TRPBF Vishay

Description: VISHAY - IRFR320TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3.1 A, 1.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm.

Інші пропозиції IRFR320TRPBF за ціною від 28.16 грн до 83.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFR320TRPBF IRFR320TRPBF Виробник : Vishay sihfr320.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+28.16 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR320TRPBF IRFR320TRPBF Виробник : Vishay sihfr320.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+30.52 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR320TRPBF IRFR320TRPBF Виробник : Vishay Siliconix sihfr320.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+34.14 грн
6000+ 31.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR320TRPBF IRFR320TRPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013857050-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR320TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3.1 A, 1.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
на замовлення 1673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+45.76 грн
500+ 39.29 грн
1000+ 35.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRFR320TRPBF IRFR320TRPBF Виробник : Vishay sihfr320.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+48.67 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR320TRPBF IRFR320TRPBF Виробник : Vishay sihfr320.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
204+57.44 грн
284+ 41.24 грн
285+ 41.15 грн
500+ 39.39 грн
1000+ 35.7 грн
2000+ 34.1 грн
4000+ 33.85 грн
8000+ 33.77 грн
Мінімальне замовлення: 204
IRFR320TRPBF IRFR320TRPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfr320.pdf MOSFET 400V N-CH HEXFET D-PAK
на замовлення 19136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+77.89 грн
10+ 61.73 грн
100+ 44.53 грн
500+ 41.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR320TRPBF IRFR320TRPBF Виробник : Vishay Siliconix sihfr320.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 9712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+83.05 грн
10+ 65.02 грн
100+ 50.57 грн
500+ 40.23 грн
1000+ 32.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR320TRPBF IRFR320TRPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013857050-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR320TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3.1 A, 1.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
на замовлення 1673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+83.88 грн
13+ 62.39 грн
100+ 45.76 грн
500+ 39.29 грн
1000+ 35.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRFR320TRPBF Виробник : Vishay sihfr320.pdf Транз. Пол. БМ N-HEXFET D-PAK Udss=400V; Id=3,1A; Pdmax=42W; Rds=1,8 Ohm
на замовлення 60 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+51.26 грн
10+ 41.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFR320TRPBF IRFR320TRPBF Виробник : Vishay sihfr320.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR320TRPBF IRFR320TRPBF Виробник : Vishay sihfr320.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR320TRPBF IRFR320TRPBF Виробник : VISHAY IRFU320PBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; Idm: 12A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
IRFR320TRPBF IRFR320TRPBF Виробник : VISHAY IRFU320PBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; Idm: 12A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній