Продукція > VISHAY > IRFR320TRPBF
IRFR320TRPBF

IRFR320TRPBF Vishay

sihfr320.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+16.67 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR320TRPBF Vishay

Description: VISHAY - IRFR320TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3.1 A, 1.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFR320TRPBF за ціною від 28.04 грн до 82.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR320TRPBF IRFR320TRPBF Виробник : Vishay sihfr320.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+39.52 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRPBF IRFR320TRPBF Виробник : Vishay sihfr320.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+42.30 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRPBF IRFR320TRPBF Виробник : Vishay sihfr320.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
258+47.31 грн
276+44.22 грн
279+43.66 грн
500+41.00 грн
1000+37.31 грн
Мінімальне замовлення: 258
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRPBF IRFR320TRPBF Виробник : Vishay sihfr320.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
253+48.21 грн
256+47.55 грн
278+42.23 грн
500+38.02 грн
1000+28.78 грн
Мінімальне замовлення: 253
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRPBF IRFR320TRPBF Виробник : Vishay Siliconix sihfr320.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+50.17 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRPBF IRFR320TRPBF Виробник : Vishay sihfr320.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+52.01 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRPBF IRFR320TRPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013857050-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR320TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3.1 A, 1.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+55.40 грн
500+43.61 грн
1000+32.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRPBF IRFR320TRPBF Виробник : Vishay sihfr320.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+55.58 грн
14+51.65 грн
25+50.95 грн
100+45.28 грн
250+41.89 грн
500+39.11 грн
1000+30.84 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRPBF IRFR320TRPBF Виробник : Vishay Siliconix sihfr320.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 3130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.40 грн
10+59.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRPBF IRFR320TRPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfr320.pdf MOSFETs TO252 400V 3.1A N-CH MOSFET
на замовлення 9146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.22 грн
10+61.51 грн
100+52.58 грн
500+49.01 грн
1000+45.51 грн
2000+35.33 грн
4000+28.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRPBF IRFR320TRPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013857050-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR320TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3.1 A, 1.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+82.59 грн
13+67.85 грн
100+55.40 грн
500+43.61 грн
1000+32.73 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRPBF IRFR320TRPBF Виробник : Vishay sihfr320.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRPBF IRFR320TRPBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BD7DDFA3EC469&compId=IRFU320PBF.pdf?ci_sign=32454cd43853c412361b06dbd4625f14ad535ae8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; Idm: 12A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRPBF IRFR320TRPBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BD7DDFA3EC469&compId=IRFU320PBF.pdf?ci_sign=32454cd43853c412361b06dbd4625f14ad535ae8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; Idm: 12A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.