| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 241+ | 59.04 грн |
| 243+ | 58.46 грн |
| 270+ | 52.58 грн |
| 273+ | 50.19 грн |
| 500+ | 44.94 грн |
| 1000+ | 34.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR320TRPBF Vishay
Description: VISHAY - IRFR320TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3.1 A, 1.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFR320TRPBF за ціною від 28.07 грн до 124.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFR320TRPBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFR320TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3.1 A, 1.8 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR320TRPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR320TRPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR320TRPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR320TRPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR320TRPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR320TRPBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFR320TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3.1 A, 1.8 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR320TRPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO252 400V 3.1A N-CH MOSFET |
на замовлення 4907 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR320TRPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
на замовлення 3071 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRFR320TRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFR320TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3.1 A, 1.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - IRFR320TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3.1 A, 1.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 63.62 грн |
| 500+ | 50.53 грн |
| 1000+ | 45.46 грн |
| IRFR320TRPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 220+ | 64.54 грн |
| 241+ | 58.87 грн |
| IRFR320TRPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 64.62 грн |
| IRFR320TRPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 64.74 грн |
| 13+ | 59.04 грн |
| 25+ | 58.46 грн |
| 100+ | 50.70 грн |
| 250+ | 46.47 грн |
| 500+ | 43.14 грн |
| 1000+ | 34.64 грн |
| IRFR320TRPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 70.02 грн |
| 4000+ | 50.16 грн |
| 10000+ | 39.38 грн |
| IRFR320TRPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 70.76 грн |
| 4000+ | 50.71 грн |
| 10000+ | 39.82 грн |
| IRFR320TRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFR320TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3.1 A, 1.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - IRFR320TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3.1 A, 1.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 118.12 грн |
| 10+ | 88.80 грн |
| 100+ | 63.62 грн |
| 500+ | 50.53 грн |
| 1000+ | 45.46 грн |
| IRFR320TRPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO252 400V 3.1A N-CH MOSFET
MOSFETs TO252 400V 3.1A N-CH MOSFET
на замовлення 4907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 120.57 грн |
| 10+ | 72.51 грн |
| 100+ | 42.66 грн |
| 500+ | 34.22 грн |
| 1000+ | 30.72 грн |
| 2000+ | 28.07 грн |
| IRFR320TRPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 3071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 124.12 грн |
| 10+ | 76.18 грн |
| 100+ | 51.03 грн |
| 500+ | 37.78 грн |
| 1000+ | 34.53 грн |






