
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 24.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR420APBF Vishay
Description: VISHAY - IRFR420APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.3 A, 3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції IRFR420APBF за ціною від 26.90 грн до 159.16 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFR420APBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 2637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR420APBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR420APBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 2637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR420APBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.1A; 83W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.1A Power dissipation: 83W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 425 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR420APBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.1A; 83W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.1A Power dissipation: 83W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 425 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR420APBF | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 1093 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR420APBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 2019 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR420APBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V |
на замовлення 1560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR420APBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |