IRFR420APBF Vishay
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 147+ | 95.65 грн |
| 176+ | 80.24 грн |
| 500+ | 72.06 грн |
| 1000+ | 56.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR420APBF Vishay
Description: VISHAY - IRFR420APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.3 A, 3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 83W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm.
Інші пропозиції IRFR420APBF за ціною від 42.00 грн до 201.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR420APBF | VISHAY |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.1A; Idm: 10A; 83W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.1A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 83W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 819 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR420APBF | Vishay |
IRFR420APBF Vishay MOSFETs Transistor N-CH 500V 3.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK - Arrow.com |
на замовлення 819 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFR420APBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube |
на замовлення 1560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR420APBF | Vishay |
IRFR420APBF Vishay MOSFETs Transistor N-CH 500V 3.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK - Arrow.com |
на замовлення 2233 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFR420APBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFR420APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.3 A, 3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 83W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm |
на замовлення 2528 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
IRFR420APBF | Vishay |
IRFR420APBF Vishay MOSFETs Transistor N-CH 500V 3.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK - Arrow.com |
на замовлення 362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 360 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFR420APBF |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.1A; Idm: 10A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.1A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.1A; Idm: 10A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.1A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 819 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 112.64 грн |
| 10+ | 63.17 грн |
| 40+ | 55.92 грн |
| 50+ | 54.69 грн |
| 75+ | 52.54 грн |
| 150+ | 48.67 грн |
| 525+ | 42.00 грн |
| IRFR420APBF |
|
Виробник: Vishay
IRFR420APBF Vishay MOSFETs Transistor N-CH 500V 3.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK - Arrow.com
IRFR420APBF Vishay MOSFETs Transistor N-CH 500V 3.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK - Arrow.com
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 114+ | 123.99 грн |
| 139+ | 101.61 грн |
| 154+ | 91.52 грн |
| 525+ | 74.41 грн |
| IRFR420APBF |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 153.95 грн |
| 75+ | 65.84 грн |
| 150+ | 62.13 грн |
| 525+ | 49.82 грн |
| 1050+ | 45.23 грн |
| IRFR420APBF |
|
Виробник: Vishay
IRFR420APBF Vishay MOSFETs Transistor N-CH 500V 3.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK - Arrow.com
IRFR420APBF Vishay MOSFETs Transistor N-CH 500V 3.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK - Arrow.com
на замовлення 2233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 201.25 грн |
| 10+ | 95.19 грн |
| 100+ | 79.85 грн |
| 500+ | 69.15 грн |
| 1000+ | 52.30 грн |
| IRFR420APBF |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFR420APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.3 A, 3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
Description: VISHAY - IRFR420APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.3 A, 3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 2528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFR420APBF |
|
Виробник: Vishay
IRFR420APBF Vishay MOSFETs Transistor N-CH 500V 3.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK - Arrow.com
IRFR420APBF Vishay MOSFETs Transistor N-CH 500V 3.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK - Arrow.com
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)