IRFR420ATRPBF

IRFR420ATRPBF Vishay Siliconix


sihfr420.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+51.04 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR420ATRPBF Vishay Siliconix

Description: VISHAY - IRFR420ATRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.3 A, 3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції IRFR420ATRPBF за ціною від 48.92 грн до 167.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR420ATRPBF IRFR420ATRPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013857007-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR420ATRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.3 A, 3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+146.08 грн
10+99.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420ATRPBF IRFR420ATRPBF Виробник : Vishay Siliconix sihfr420.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 4775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.02 грн
10+96.18 грн
100+72.29 грн
500+54.21 грн
1000+49.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420ATRPBF IRFR420ATRPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfr420.pdf MOSFETs N-Chan 500V 3.3 Amp
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+167.37 грн
10+110.83 грн
100+65.99 грн
500+52.97 грн
1000+48.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420ATRPBF IRFR420ATRPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013857007-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR420ATRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.3 A, 3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420ATRPBF IRFR420ATRPBF
Код товару: 37812
Додати до обраних Обраний товар

sihfr420.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420ATRPBF IRFR420ATRPBF Виробник : Vishay sihfr420.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 3.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420ATRPBF IRFR420ATRPBF Виробник : Vishay sihfr420.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 3.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420ATRPBF Виробник : VISHAY sihfr420.pdf IRFR420ATRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.