Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFR420ATRPBF

IRFR420ATRPBF

sihfr420.pdf
Код товару: 37812
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFR420ATRPBF за ціною від 43.70 грн до 147.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFR420ATRPBF IRFR420ATRPBF Vishay Siliconix sihfr420.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+43.70 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420ATRPBF IRFR420ATRPBF Vishay sihfr420.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 3.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+116.94 грн
4000+102.81 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420ATRPBF IRFR420ATRPBF Vishay sihfr420.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 3.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+116.94 грн
4000+102.81 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420ATRPBF IRFR420ATRPBF Vishay Siliconix sihfr420.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 3662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.79 грн
10+91.02 грн
100+61.93 грн
500+46.42 грн
1000+44.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420ATRPBF IRFR420ATRPBF Vishay Semiconductors sihfr420.pdf MOSFETs N-Chan 500V 3.3 Amp
на замовлення 3097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420ATRPBF IRFR420ATRPBF VISHAY VISH-S-A0013857007-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR420ATRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.3 A, 3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420ATRPBF IRFR420ATRPBF VISHAY VISH-S-A0013857007-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR420ATRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.3 A, 3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420ATRPBF sihfr420.pdf
IRFR420ATRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+43.70 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420ATRPBF sihfr420.pdf
IRFR420ATRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 3.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+116.94 грн
4000+102.81 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420ATRPBF sihfr420.pdf
IRFR420ATRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 3.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+116.94 грн
4000+102.81 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420ATRPBF sihfr420.pdf
IRFR420ATRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 3662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+147.79 грн
10+91.02 грн
100+61.93 грн
500+46.42 грн
1000+44.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420ATRPBF sihfr420.pdf
IRFR420ATRPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 500V 3.3 Amp
на замовлення 3097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420ATRPBF VISH-S-A0013857007-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR420ATRPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFR420ATRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.3 A, 3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420ATRPBF VISH-S-A0013857007-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR420ATRPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFR420ATRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.3 A, 3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.