IRFR420PBF (IRFR420TRPBF) Vishay
Код товару: 39280
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: Vishay
Корпус: TO-252/D-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 1,5 А
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 360/19
Монтаж: SMD
УКТЗЕД: 8542319000
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 28.00 грн |
| 10+ | 25.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFR420PBF (IRFR420TRPBF) за ціною від 34.06 грн до 156.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFR420PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 2650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR420PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 2650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR420PBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 19nC On-state resistance: 3Ω Power dissipation: 42W Drain current: 1.5A Pulsed drain current: 8A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 500V Kind of package: tube Case: DPAK; TO252 Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1227 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR420PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAKPackaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V |
на замовлення 5880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR420PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFR420PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.4 A, 3 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 42W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm |
на замовлення 16488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRFR420PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO252 500V 3.3A N-CH MOSFET |
на замовлення 6393 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFR420PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 72.73 грн |
| 75+ | 60.95 грн |
| 150+ | 53.42 грн |
| 525+ | 47.36 грн |
| 1050+ | 43.41 грн |
| 2025+ | 38.84 грн |
| IRFR420PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 195+ | 72.73 грн |
| 232+ | 60.95 грн |
| 265+ | 53.42 грн |
| 525+ | 47.36 грн |
| 1050+ | 43.41 грн |
| 2025+ | 38.84 грн |
| IRFR420PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 3Ω
Power dissipation: 42W
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 8A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Kind of package: tube
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 3Ω
Power dissipation: 42W
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 8A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Kind of package: tube
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1227 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 86.51 грн |
| 10+ | 57.15 грн |
| 75+ | 44.94 грн |
| 150+ | 41.67 грн |
| 525+ | 36.57 грн |
| 750+ | 35.23 грн |
| 1050+ | 34.06 грн |
| IRFR420PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 156.41 грн |
| 75+ | 68.87 грн |
| 150+ | 62.08 грн |
| 525+ | 49.20 грн |
| 1050+ | 45.27 грн |
| 2025+ | 42.13 грн |
| 5025+ | 38.88 грн |
| IRFR420PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFR420PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.4 A, 3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
Description: VISHAY - IRFR420PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.4 A, 3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 16488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFR420PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO252 500V 3.3A N-CH MOSFET
MOSFETs TO252 500V 3.3A N-CH MOSFET
на замовлення 6393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
З цим товаром купують
| 150 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-150K-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 1234
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 150 кОм
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 150 кОм
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
у наявності: 708 шт
- 119 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 419 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 170 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 10000 шт
- 10000 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 0.12 грн |
| 1000+ | 0.09 грн |
| 10000+ | 0.07 грн |
| 1nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805B102K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD) Код товару: 1222
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 1 нФ
Номін. напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 1 нФ
Номін. напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
у наявності: 4322 шт
- 493 шт - склад
- 339 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 3490 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 0.70 грн |
| 100+ | 0.60 грн |
| 1000+ | 0.50 грн |
| SMAJ36A Код товару: 940
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: YJ/Vishay
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: SMA (DO-214AC)
Пікова потужність, P, Вт: 400 Вт
Напруга пробою, Vbr: 40 В
Постійна зворотна напруга, Vrm: 36 В
Струм витоку, Irm: 1 мкА
Конструкція діода: Односпрямований
Монтаж: SMD
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: SMA (DO-214AC)
Пікова потужність, P, Вт: 400 Вт
Напруга пробою, Vbr: 40 В
Постійна зворотна напруга, Vrm: 36 В
Струм витоку, Irm: 1 мкА
Конструкція діода: Односпрямований
Монтаж: SMD
у наявності: 1254 шт
- 714 шт - склад
- 58 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 343 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 6 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 133 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 4.50 грн |
| 10+ | 3.90 грн |
| 100+ | 3.10 грн |
| 1000+ | 2.60 грн |
| 1 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-1KR-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 1768
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 1 кОм
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 1 кОм
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
у наявності: 50297 шт
- 43690 шт - склад
- 4007 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 200 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 2400 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 100000 шт
- 100000 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 0.12 грн |
| 1000+ | 0.09 грн |
| 10000+ | 0.07 грн |
| 36 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-36K-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 1743
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 36 кОм
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 36 кОм
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
товару немає в наявності
очікується: 20000 шт
- 20000 шт - очікується 10.08.2026
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 0.12 грн |
| 1000+ | 0.09 грн |
| 10000+ | 0.07 грн |










