Технічний опис IRFR420TRLPBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: DPAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції IRFR420TRLPBF за ціною від 33.72 грн до 172.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR420TRLPBF | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFR420TRLPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V |
на замовлення 2546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFR420TRLPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO252 500V 2.4A N-CH MOSFET |
на замовлення 3107 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFR420TRLPBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 73.59 грн |
| 12+ | 62.83 грн |
| 25+ | 62.21 грн |
| 100+ | 50.10 грн |
| 250+ | 33.72 грн |
| IRFR420TRLPBF |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 2546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 172.84 грн |
| 10+ | 107.17 грн |
| 50+ | 81.38 грн |
| 100+ | 68.56 грн |
| 500+ | 54.87 грн |
| IRFR420TRLPBF |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO252 500V 2.4A N-CH MOSFET
MOSFETs TO252 500V 2.4A N-CH MOSFET
на замовлення 3107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)