на замовлення 3908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 347+ | 35.28 грн |
| 362+ | 33.87 грн |
| 500+ | 32.65 грн |
| 1000+ | 30.45 грн |
| 2500+ | 27.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR420TRPBF-BE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFR420TRPBF-BE3 за ціною від 29.96 грн до 112.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR420TRPBF-BE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
 MOSFETs TO252 500V 2.4A N-CH MOSFET |
на замовлення 13576 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFR420TRPBF-BE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFR420TRPBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 500V, 2.4A, TO-252 tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 |
на замовлення 3908 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFR420TRPBF-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V |
на замовлення 2148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR420TRPBF-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IRFR420TRPBF-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IRFR420TRPBF-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |