Продукція > VISHAY > IRFR420TRPBF-BE3
IRFR420TRPBF-BE3

IRFR420TRPBF-BE3 Vishay


sihfr420.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+41.68 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR420TRPBF-BE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFR420TRPBF-BE3 за ціною від 42.09 грн до 108.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR420TRPBF-BE3 IRFR420TRPBF-BE3 Виробник : Vishay sihfr420.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+44.89 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRPBF-BE3 IRFR420TRPBF-BE3 Виробник : Vishay sihfr420.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
152+80.32 грн
500+65.98 грн
1000+60.69 грн
Мінімальне замовлення: 152
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRPBF-BE3 IRFR420TRPBF-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihfr420.pdf MOSFETs TO252 500V 2.4A N-CH MOSFET
на замовлення 22641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.97 грн
10+65.84 грн
100+44.77 грн
500+42.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRPBF-BE3 IRFR420TRPBF-BE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0009401979-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR420TRPBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 500V, 2.4A, TO-252
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRFR420 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 3908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+102.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRPBF-BE3 IRFR420TRPBF-BE3 Виробник : Vishay Siliconix sihfr420.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 2148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+108.33 грн
10+74.23 грн
100+57.48 грн
500+47.55 грн
1000+47.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRPBF-BE3 IRFR420TRPBF-BE3 Виробник : Vishay sihfr420.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRPBF-BE3 IRFR420TRPBF-BE3 Виробник : Vishay Siliconix sihfr420.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.